张忠谋：今年资本支出近9成用于先进产能布建

台积电(2330)今(17日)召开法说会，台积电董事长张忠谋也进一步说明资本支出的运用情形。他重申，台积电目前预估今年的资本支出为90亿美元，当中有88%都将用于28/20奈米、16奈米FinFET制程的产能布建，而5%则用于RD研发(从20奈米一直到10奈米都有)，2%则用于包括嵌入式、电源管理等特殊制程。
而张忠谋也透露，资本支出当中有1%是用于日前竹南的购地。而财务长何丽梅则补充说明，台积电初步规划将这块地做为18吋晶圆厂的研发基地之用。张忠谋进一步强调，对研发的投资是台积电很重要的成长动力，而未来几年台积电的成长也将来自于技术，28奈米制程的成功已经证明这一点，未来的20奈米、16奈米FinFET制程，甚至是10奈米也都是如此。他强调，无论是哪一世代的制程，只要摩尔定律能够延续，台积电就会在那里。而台积电对研发的投资范围，也包括和ASML于EUV(极紫外光微影制程)的合作，以及CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技术等。
日前苹果频频对其供应链厂招手，提出在美国建厂的要求，而台积电未来是否也可能进一步于海外投资盖晶圆厂？对此张忠谋表示，台湾的企业所得税率为17%，美国则高达35%，因此即使当地政府有额外补助，考量到这么高的税率，在海外建厂不见得是好事。何丽梅也指出，在海外建厂是件大事，要考量包括建厂成本和当地环境等问题，而台积电也不会因当地的税率低就去盖厂。