英特尔携手工研院 冲刺3D IC

半导体产业迎向3D IC时代，全球电脑中央处理器龙头英特尔技术长瑞特纳（Justin Rattner）昨（4）日宣布与台湾工研院创造出超低耗电的实验性阵列记忆体，可大幅推升3D堆叠与系统最佳化的发展，稳住在半导体先进制程的技术。
英特尔近年与台湾展开一系列产学合作，2010年3月先成立「Intel—台大创新研究中心」，去年底又宣布与经济部技术处和工研院合作，3方将在5年内各投入500万美元、合计1,500万美元（约新台币近4.5亿元）开发新世代记忆体。

为了展现成果，英特尔技术长瑞特纳特别访台，昨天宣布英特尔实验室（Intel Labs）在台研究计划的阶段性成果，包括与工研院共同进行的记忆体研究计划，以及英特尔—台大创新研究中心的发展进度。

瑞特纳表示，与工研院合作的创新阵列结构，可大幅推升3D 堆叠与系统最佳化的发展，让高密度的记忆体大幅提升电源使用效益，可提升电池续航力、更快整合行动资料，透过更高解析度带来更好的绘图功能，好的行动使用体验。

3D IC是各家半导体大厂兵家必争之地，台积电董事长张忠谋即曾表示，3D IC是解决摩尔定律延续的关键技术。工研院资通所长吴诚文认为，英特尔与工研院合作，可协助台湾晶圆产业因应未来挑战，对记忆体产业和高阶应用处理器发展也会带来重大影响。

双方规划，将开发超快速且深具电源使用效益的记忆体技术，这些新世代记忆体技术将用在包括超轻薄笔电（Ultrabook）、平板电脑及智慧型手机等超行动装置，以及未来的百万兆级与超大云端资料中心。

技术处强调，英特尔本身已英特尔拥有3D IC技术，新世代记忆体为立体堆叠的3D IC，整合了逻辑IC和记忆体，主要是为了研发容量高、速度快、省电的IC，因应未来3至5年可能发生的产业瓶颈，但不会侵害记忆体的市场需求。