GF：3D FinFET技术领先台积电

晶圆代工大厂格罗方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鳍式晶体管（FinFET）导入的14纳米元件，预计2013年试产，2014年量产，“已可直接与英特尔竞争”，技术层次更领先台积电半个世代。

格罗方德由微处理器大厂超微分割独立，近年快速崛起。市调机构IC Insights日前公布今年全球晶圆代工厂排名预估，格罗方德有望挤下联电，成为晶圆代工二哥，这次直接挑战龙头台积电，是台积电继三星大张旗鼓进军晶圆代工之后，再次面临同业威胁，但台积电昨天不愿对竞争对手置评。

尽管面临竞争强敌压境，外资仍一路看好台积电后市，截至昨天为止，已连续16个交易日买超，昨天大买逾5.9万张，推升台积电股价大涨2.2元、收89.8元，改写还原权值后历史新高价。

格罗方德全球营销暨业务副总诺恩（Michael Noonen）昨天首度来台，除了与台湾媒体面对面接触，更透过全球电话会议与中国大陆、日本媒体进行记者会，说明格罗方德技术进展。

诺恩指出，格罗方德以3D鳍式晶体管导入的14纳米元件，预计2013年导入第1个客户试产，2014年量产，是晶圆代工界第1家，也是目前唯一可提供客户从28纳米直接跳过20纳米转换到14纳米制程的厂商。

相较于台积电规划2013年底至2014年初导入3D鳍式晶体管的制程技术为16纳米，格罗方德抢先推出14纳米，领先台积电半个世代，诺恩更直言“相关技术已可与英特尔直接竞争”。

不过，台积电董事长张忠谋曾表示：“台积电16纳米3D鳍式晶体管相当于业界的14纳米效率”。