3D FinFET电晶体 大幅减低电流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架构

针对行动装置市场，提供更细小的面积空间以及减低所需功耗，让行动装置体积得以减少，以及延长电池续航行力，半导体厂商 GlobalFoundries 日前宣布将采用 14nm-XM 制程架构，并首次引入 3D FinFET 电晶体，为立体 (SoC) 晶片设计，预期将于 2014 年正式量产。

14nm-XM 制程架构中的 XM 代表「极端流动性」，结合了 20nmLPM 和 14nm FinFET ，透过开发已在进行中的 20nmLPM 技术，利用较成熟的 20nm-LPM 平稳地迁移到 FinFET 技术中。

据 GlobalFoundries 表示， FinFET 的架构需要传统 3D 晶体管的设计，以及转动在其一侧的导电通道，进而达致在一个 3D 的结构所包围的栅极，用于控制电流的流动，透过 3D 晶体管减低电流流失，令行动装置电池寿命更长久。

同时， GlobalFoundries 亦进一步指出，透过 14nm-XM 制程架构对功耗的优化，能够比 20nm 2D 电晶体技术改善 40-60 ％的电池续航力表现，而且在相同电压下可提升 20-55% 效能表现，利用 14NM-XM 架构的性能和功耗之间取得理想的平衡，同时尽量减少晶片尺寸和成本。

此外， GLOBALFOUNDRIES 针对在 FinFET 加工技术上，宣布与 ARM 达成合作考议，共为 ARM 处理器提供优化的 SoC 方案，将共同优化 ARM Cortex-A 系列处理器，并推动生产 IP 平台，以促进快速迁移到 3D FinFET 晶体管技术。