台积电18吋晶圆2018量产

台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）今（5）日开幕，18吋晶圆成为市场焦点，台积电营运副总经理王建光昨（4）日出席半导体展前记者会时表示，台积电已做好导入18吋晶圆规划，预计2018年量产，届时导入的技术将以10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程为主。
共同出席的台积电研发副总林本坚则指出，台积电20奈米已快量产，16奈米FinFET制程开发依计划进行，接下来的10奈米FinFET制程希望可以导入新一代的微影技术，除了极紫外光（EUV）方案外，多重电子束（Multi E-Beam）仍是台积电的选项之一。
包括英特尔、台积电、三星、IBM、格罗方德（GlobalFoundries）等全球5大半导体厂，今年初已决定共组全球18吋晶圆联盟（G450C），王建光表示，今年是推动18吋晶圆元年，也是令半导体业者感到兴奋的一年，G450C结合了全球半导体大厂的资源，将以最经济也最有效率的方式，为18吋晶圆制定出新的标准，期望未来18吋晶圆导入量产后能「一枪中的」。
对台积电来说，跨入18吋晶圆仍需要时间。王建光表示，2014～2015年时应可完成设备规格制定，预计2015年初，设备商就能提供测试设备（demo tools），而2016～2017年将开始建立试产生产线（pilot line），并建立起上下游的供应链，若一切顺利，台积电在2018年就能够以18吋晶圆投入量产。
在微影技术部份，台积电日前已决定加入微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）的「客户联合投资专案」，总投资金额高达11.14亿欧元（约新台币407亿元），包括取得ASML的5％股权，并加入极紫外光（EUV）及18吋晶圆设备的研发计画。
林本坚表示，台积电的技术蓝图有些变动，28奈米之后的20奈米已经接近量产，再接下去的16奈米，将是台积电首度导入3D架构的FinFET电晶体制程，再进行微缩后就是10奈米FinFET。
林本坚表示，由于EUV技术尚未成熟，16奈米及10奈米仍然会用到浸润式（immersion）的微影技术，10奈米以及之后的7奈米，则会导入新一代的微影技术，目前除了EUV之外，多重电子束也是考量的方向。
台积电晶圆尺寸进程