DENSO传研发次世代半导体材料SiC晶圆 2年后量产

日经新闻23日报导，全球汽车零组件巨擘DENSO已携手昭和电工、日本新能源暨产业技术总合开发机构(NEDO)共同研发出环保车高性能晶片用次世代半导体材料「碳化矽(SiC)晶圆」。报导指出，和现行矽晶圆相比，SiC晶圆结晶困难、容易混入不纯物，惟DENSO已藉由自家制法，研发出可将不纯物大幅减少的技术，之后并计划于2年后将不良率降至5%以下，以导入量产。
据报导，DENSO所研发的产品为6寸SiC晶圆，而采用该晶圆的电源控制晶片除可应用于环保车外，也可应用于铁道、智能电网(smart grid)等广泛用途。据报导，DENSO预估，2025年采用SiC晶圆的电源控制晶片市场规模将达2,000亿日圆以上，为现行的40倍。报导指出，目前已成功研发出6寸SiC晶圆的厂商包括美国Cree和日本新日铁(Nippon Steel)。
新日铁于去年12月宣布，已完成尺寸达6寸的碳化矽(SiC)单晶晶圆的研发，并计划于2013年度进行量产，目标为抢下全球40% SiC晶圆市占；美国Cree目前握有全球SiC晶圆60-70%市占。新日铁表示，6寸SiC晶圆为次世代高性能电源控制晶片能否量产/普及的关键材料，和现行使用于二极体、电晶体等半导体元件的矽晶圆相比，SiC晶圆可将电力变换过程中的电力损失量减半，且其耐电压性和耐热性也优于矽晶圆。