台积电、ARM携手合作双方互惠为各自技术提供最佳化选择

台积电(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一项多年期的合作协议，这两企业将就20 奈米技术合作，让ARM 晶片可运用于FinFET (鳍式场效电晶体) 上，让晶片设计商能继续拓展其在应用处理器上的领先优势。，双方的合作将能为ARMv8架构下的新一世代64位元ARM 处理器、ARM Artisan? 实体IP、以及台积公司的FinFET制程技术进行最佳化，以应用于要求高性能和节能兼备的行动和企业市场。
这次的合作双方将共享技术资讯和反馈，协助提升ARM 矽智财与台积电制程技术的开发。ARM 将能藉由制程资讯，设计效能、体积、功率的最佳化完整方案，以降低风险并促使客户采用。台积电则能藉由ARM 的最新处理器和技术，为FinFET 制程技术制定基准点并且优化。台积电的FinFET 技术和ARMv8 架构结合将能让晶圆设计产业取得跨市场类别，并且持续创新的解决方案。除此之外，此合作还能改善矽制程、实体IP 和晶圆科技，共同促成崭新的SoC 科技革新，并且缩短产品上市时间。
台积电和ARM 在各自领域中皆拥有领先技术，ARMv8 架构延续了ARM 低功耗的产业领先地位，台积电的FinFET 制程则可显著改善速度和功率，并且降低漏电流，以上的优势都将有助于两家企业的共同客户进行SoC 的创新设计。