联电获IBM技术授权，20纳米、finfet研发周期可望缩短

联电(2303)今日(29日)宣布已取得IBM所授权的技术，将以finfet 3d晶体管，促进次世代尖端20纳米cmos制程的开发。双方协议IBM将授权其20纳米设计套件以及finfet技术给联华电子，联华电子将可运用这些技术，加快推出这些制程给客户采用的时程。
联华电子先进技术开发副总陈一浸博士表示，对于这次与世界知名技术领导者IBM所进行的协议，感到十分高兴。联华电子身为全球晶圆专工领导者，必须掌握先机适时推出尖端制程，以协助客户实现其次世代芯片设计。而借重IBM的专业技术来缩减20纳米与finfet研发周期，将可为联华电子与客户创造双赢。

联华电子与IBM两家公司的协议内容，包括IBM的20纳米cmos与finfet技术。联华电子内部自行研发的20纳米平面(planar)制程，将与IBM的设计规则与制程/元件目标同步，未来联华电子的finfet技术，将针对行动运算与通讯产品，做为更强化的低耗电技术选项。此项研发将于联华电子位于南科的研发中心进行。(编辑整理：李慧兰)