台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台

美商亚德诺 (ADI)与台积电 (2330)今（20）日共同宣布，双方已合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。而台积电的0.18微米BCD（Bipolar(双载子)- CMOS (双极)-DMOS(扩散)，互补金属氧化半导体）整合制程平台，除能支援广大的操作电压范围，并可提供具有成本效益的操作优势，拥有极小的覆盖面积（Footprint）与极高的能源效率，适合用于电脑、工业电子及消费性电子产品、汽车电子等应用。
此外，此0.18微米5伏电压制程，能够达到将杂音改善幅度提升一个数量级（An Order of Magnitude）、静态漏电流（Standby Leakage Current）减少幅度达70%、线性度（Linearity）改善50%、以及电容电阻匹配（Capacitor and Resistor Matching）改善幅度达50%等成效。
双方表示，此崭新制程技术平台能够大幅改善类比效能，并支援诸多元件应用，包括交流转直流电（A/D）与直流转交流电（D/A）转换器、电源管理元件、以及音讯编/解码器。而亚德诺借此新开发平台于最近发表的产品，则包括隔离式控制器区域网路（Control-Area Network，CAN）收发器、高速可寻址远端换能器（Highway Addressable Remote Transducer, HART）数据机 IC、心电图（ECG）类比前端（AFE）晶片、数位电位器（Digital Potentiometer）、以及音讯编码器。
台积电美国子公司总经理Rick Cassidy指出，亚德诺自从0.6微米与0.35微米类比制程就已与台积电合作。而亚德诺类比技术副总裁David Robertson则表示，双方紧密且长久的技术合作关系，才得以促成这次的顺利开发，而台积电的技术，则为亚德诺的制程技术组合提供了更高的附加 ??价值。