ST与GLOBALFOUNDRIES签订28/20奈米FD-SOI技术代工协定

意法半导体(STMicroelectronics，ST)宣布，半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES 将采用意法半导体独有的 FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator，完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件)技术为意法半导体生产 28奈米和 20奈米晶片。
ST表示，现今的消费者对智慧型手机和平板电脑的期望越来越高，除了要求能够处理精美绝伦的图片、支援多媒体和高速宽频上网功能，同时不能牺牲电池寿命，在设备厂商满足消费者这些需求的努力中，意法半导体 FD-SOI 晶片的量产和上市将发挥至关重要的作用。

多媒体融合应用需要兼具性能和能效的半导体技术。随着晶片外观尺寸不断缩小，传统技术无法使电晶体的性能和电池寿命同时达到最高水准，无法在实现最高性能的同时确保温度不超过安全限制。这解决的方法是采用FD-SOI技术，这种技术兼具最高性能、低工作功耗(在各种应用中，在降低电源功率后的同时还能保持良好的性能)以及低待机功耗。

凭藉其注重成本效益的平面型FD-SOI技术，意法半导体率先推出了28奈米的完全空乏型元件。为FD-SOI货源提供双重保障，意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协定，以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28奈米 FD-SOI元件目前已商用化，预计于2012年7月前投入原型设计；而 20奈米 FD-SOI元件目前处于研发阶段，预计于2013年第三季投入原型设计。

意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代行动平台，这项技术将让ST-Ericsson的 NovaThor平台具有更高的性能和更低的功耗，在发挥最高性能的同时降低功耗达35%。意法半导体也计划对GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术，让他们能够采用目前最先进的 28奈米和20奈米技术研发产品。