应材推出关键性离子植入技术

全球最大半导体设备厂应用材料昨（7）日宣布推出关键性离子植入技术，能帮助未来的晶片进行微缩。新的Applied Varian VIISta Trident系统，可提供精确的植入剂量和角度控制，满足先进电晶体结构的需求，已是主要晶圆代工厂中进入20奈米制程的首选工具。
应用材料推出新的Applied Varian VIISta Trident系统，是半导体产业最先进的单晶片式高电流离子植入系统。应材指出，在嵌入「掺杂物」原子的晶片电性工程中，该新系统是唯一被验证具有能力达成20奈米高效与节能逻辑晶片制程量产所需良率的高电流离子植入机。
在20奈米制程世代中，如何将掺杂原子活化，并抑制延伸层、源极/汲极层、和接触层中的晶格瑕疵（crystal defects），已成为在高效能电晶体尺寸微小化过程中的重大挑战。新系统的独特功能，对于如何精确控制掺杂原子的浓度和纵深分布，以达成先进元件的高效能、控制漏电流、减少功能变异性等要求，具有关键性的影响。
应用材料副总裁暨瓦里安事业部总经理鲍勃．哈里戴（Bob Halliday）表示，典型的先进逻辑晶片需要多达60道的植入步骤，这包括共同植入技术与高精密度材质调整的应用，VIISta Trident系统所具备的高精准度技术，对于客户是否能在最先进的产品制程上快速达到可以获利的良率水准来说，是一项不可或缺的要素。VIISta Trident系统效能表现优异的关键，是来自于为增强低能量离子植入效能所设计的双磁铁偏转带状离子光束的专利架构。此系统的能量纯化模组，可完全消除具破坏性的高能量离子物质。