华润上华推出0.25微米Scalable BCD工艺平台

时间：2012-06-07 17:34:00

关键字： BCD 微米 SCALABLE MOS

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[导读]华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已完成0.25微米ScalableBCD工艺平台开发，其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求，进一步提高了华润上华BCD系列工艺平

华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已完成0.25微米ScalableBCD工艺平台开发，其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求，进一步提高了华润上华BCD系列工艺平台的技术优势。

华润上华的0.25微米ScalableBCD工艺平台为0.5微米前段制程与0.25微米后段制程，由之前0.25微米24VBCD工艺平台延伸而来，核心器件工作电压为5V，提供DMOS工作电压为12V至45V的高压器件与功率器件，其击穿电压由20V延伸到80V。该工艺广泛应用于DC-DC电源转换、LED照明驱动及LED背光驱动IC。

该工艺后段采用铝制程，最多可支持5层铝连线，具有低Rdson的优秀性能表现，提供多种优化的器件结构，以帮助客户提升成本效益的设计优势。与华润上华的0.25微米24VBCD工艺相比，0.25微米ScalableBCD工艺平可以将芯片DMOS工作电压延伸更高至45V。同时该工艺能提供多段式电压的选择，可藉由调整设计而不额外增加光罩层数，具有低成本、高可移植性的优势，能够满足多样化的产品设计需求。

与此同时，华润上华0.25微米ScalableBCD工艺平台可提供经验丰富的ESD解决方案与ESD设计支持，设计支持部分可提供完整的PDK与优化的设计流程，以满足客户芯片设计的需求。