新思 支持台积电28纳米制程
时间:2012-02-24 06:48:00
[导读]矽智财(IP)及电子设计自动化工具(EDA)大厂新思科技(Synopsys)推出支持台积电28纳米高效能(HP)、行动高效能(HPM)制程的DesignWare嵌入式存储器与逻辑库IP,提供高效能、低漏电及有效电力(active power),
矽智财(IP)及电子设计自动化工具(EDA)大厂新思科技(Synopsys)推出支持台积电28纳米高效能(HP)、行动高效能(HPM)制程的DesignWare嵌入式存储器与逻辑库IP,提供高效能、低漏电及有效电力(active power),让设计人员透过速度和电源效率提升,以达成整体系统单芯片(SoC)设计的最佳化。
新思科技指出,就行动装置应用而言,速度和电源效率之间的平衡是格外重要,DesignWare的STAR Memory System嵌入式测试及修复技术,能够让设计者在减少测试及生产成本下,开发出高效能低功耗的28纳米SoC。据了解,包括超微及Movidius等台积电28纳米客户,已采用新思的DesignWare解决方案。
新思科技高速低功耗存储器及标准元件库,支持0.18微米到28纳米制程,并已用于超过10亿个芯片中,此次支持台积电28纳米的DesignWare嵌入式存储器与逻辑库IP解决方案,利用多重临界变异(threshold variant)以及闸极长度偏压(gate length bias)的结合,达到SoC应用的效能及功耗的最佳化,让设计人员具备先进的功耗管理能力,包括电源关闭、多重电压及动态电压频率缩放(DVFS)等。
新思科技指出,就行动装置应用而言,速度和电源效率之间的平衡是格外重要,DesignWare的STAR Memory System嵌入式测试及修复技术,能够让设计者在减少测试及生产成本下,开发出高效能低功耗的28纳米SoC。据了解,包括超微及Movidius等台积电28纳米客户,已采用新思的DesignWare解决方案。
新思科技高速低功耗存储器及标准元件库,支持0.18微米到28纳米制程,并已用于超过10亿个芯片中,此次支持台积电28纳米的DesignWare嵌入式存储器与逻辑库IP解决方案,利用多重临界变异(threshold variant)以及闸极长度偏压(gate length bias)的结合,达到SoC应用的效能及功耗的最佳化,让设计人员具备先进的功耗管理能力,包括电源关闭、多重电压及动态电压频率缩放(DVFS)等。





