AMAT开发表面改质处理装置，实现铜布线low-k化并解决CPI问题

美国应用材料公司（AMAT）开发出了逻辑IC等使用的铜（Cu）布线低介电率（low-k）层间绝缘膜的表面改质处理装置“Applied Producer Onyx”。该装置将参展“Semicon Japan 2011”（2011年12月7～9日，幕张Messe会展中心）。

据AMAT介绍，逻辑IC中布线耗电量占总耗电量的1/3左右，因此削减布线耗电量是提高尖端逻辑IC性能、延长电池驱动时间的关键。要想提高性能和延长电池驱动时间，就需要削减伴随布线微细化而增加的布线电阻和布线容量。其中，为削减布线容量，AMAT一直在推进层间绝缘膜的low-k化。此时遇到的问题是，即使在层间绝缘膜中使用low-k材料，由于旨在形成通孔和布线沟道的蚀刻以及布线嵌入后的CMP（化学机械研磨）影响，表面构成会发生变化，表面附近的介电常数也会增加。而且微细化得到推进后，该问题的影响会相对增大，因此在22nm工艺以后将是一个更为重要的问题。此次装置就是为了解决这个问题而开发的。

AMAT此次开发出了改善low-k膜表面膜质的技术。在层间膜表面的氧（O）-氢（H）键结部分加入硅（Si）-碳（C）键结。据AMAT介绍，由此可实现20％左右的low-k化，从而能将布线的耗电量削减10％。另外，采用此次技术还有望提高层间绝缘膜的机械强度，作为在布线技术领域近年愈发受到关注的CPI（Chip-Package Interaction，芯片-封装相互作用）问题解决对策，此次技术也可有效发挥作用（参阅本站报道）。而且，此次开发的装置“已有多台用于试产先进逻辑器件”（该公司，英文发布资料）。（记者：长广 恭明，Tech-On！）