联电：Q4本业维持获利

晶圆代工大厂联电（2303）昨（26）日举行法说会，第3季税后净利达19.5亿元，季减38.8％，每股净利0.16元，符合市场预期。对于第4季展望部份，联电执行长孙世伟表示，欧美债信及中国市场通膨问题未获解决前，市场能见度不高，不过，联电第4季营收季减率约5％左右，本业仍将维持获利。

联电第3季营收达251.87亿元，较第2季衰退10.5％，几乎完全受到出货量下滑影响，但降幅符合先前预估数字。由于产能利用率由87％下滑到74％，毛利率季减4.1个百分点至19.8％，但本业仍维持15.35亿元获利，税后净利达19.54亿元，每股净利为0.16元。

展望第4季，联电认为晶圆出货量将再减少约10％，但因产品组合改善，65纳米及40纳米比重拉高，平均价格（ASP）将逆势季增5％，等于第4季营收将减少5％，优于市场季减7％至10％的普遍预估。联电表示，本季产能利用率虽再降至65％至69％，但营业利益率仍维持5％以下正数，所以本业还是会赚钱。

孙世伟表示，对半导体市场景气，仍延续上季度看法，在欧美债信及中国市场通膨未获解决、同时整体供应链库存分布及去化能见度不高的此刻，客户仍保守看待市场需求，半导体市况也将持续趋缓。联电将审慎因应，预估第4季营收下降的幅度将缩小，配合经营效率及成本结构的改善，第4季本业仍将维持获利。

孙世伟表示，除了已经进入量产的40纳米制程，联华电子更投入大量资源开发 28纳米技术及矽智财（IP），包括与英商安谋（ARM）及新思科技（Synopsys）合作建构的IP设计平台等。

孙世伟表示，28纳米多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）制程在第4季开始试产，高介电金属闸极（HKMG）明年中试产，2大技术将成为推动联电高阶制程成长的双引擎。