借力ISDA联盟　ST自创28奈米制程明年量产

半导体市场自2012年开始将进入28奈米产品倾巢而出的阶段，为强化产品竞争力，整合元件制造商(IDM)意法半导体(STMicroelectronics)已藉由加入半导体技术联盟的方式，研发出专属的28奈米制程技术，并预计于明年底开始量产。

意法半导体资深执行副总裁暨技术长Jean-Marc Chery表示，该公司独有的半导体制程技术，不论效能或成本效益均极出色。
意法半导体资深执行副总裁暨技术长Jean-Marc Chery表示，为持续掌握更先进的制程技术，该公司先前已加入PreT0与ISDA两大互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术联盟，前者主要专注于先进CMOS技术研究；后者则致力于32、28与20奈米(nm)以下基体(Bulk)与低功耗(LP)技术开发，藉此即时获得可实际量产的先进半导体技术。

目前意法半导体以在ISDA联盟的技术基础上，自行发展出新的28奈米CMOS制程技术，包括28奈米闸极优先(Gate First)CMOS28LP与FD-SOI。Chery指出，在ISDA联盟的技术中，为了让晶片拥有低功耗与高效能，得分别采用LP与GP电晶体制程平台，导致厂商得花费更大的成本，且采用低功耗制程的中央处理器(CPU)，虽然泄漏功耗较低，但在高效运行时功耗却会随之提升，而采用快速制程的CPU在待机时泄漏功耗较高；而意法半导体的Gate First与FD-SOI技术则可解决上述问题，且产品还具备较低成本的特性。

Chery透露，意法半导体自行研发的28奈米制程，预计将于2012年初开始试产，预计明年底即可上线量产，主要将先用于应用处理器的生产。至于制造产能，初期将以意法半导体自家晶圆厂为主，待未来需求量攀升后再和台积电展开合作，藉委外代工扩增产能。

另外，在20奈米节点以下的关键技术除FD-SOI外，还包括鳍式场效电晶体(FinFET)，Chery认为，20奈米以下的制程技术已不同以往，将遭遇电晶体架构与微影技术难题，业者需要有更大的技术改变与新的制程设备，也因此三维(3D)电晶体堆叠的FinFET与2D电晶体加上FD-SOI技术遂被提出，而意法半导体在28奈米即率先采用FD-SOI，所以，未来发展20奈米以下制程技术时，该公司将可更顺利解决技术难关。

据了解，目前在逻辑元件有能力采用FinFET的业者主要包括英特尔(Intel)、台积电，以及ISDA联盟中的意法半导体、三星(Samsung)和IBM。