力旺与宏力扩大合作OTP和MTP制程平台

连于慧／台北 嵌入式非挥发性记忆体(embedded Non-Volatile Memory；eNVM) IP供应商力旺17日指出，将扩大与宏力半导体合作，旗下关键技术单次可程式(One Time Programmable；OTP)和多次可程式(Multi Time Programmable；MTP)如NeoFlash、NeoEE等，将全面导入宏力的制程平台，预计0.13微米的OTP制程平台将于2011年底通过可靠度验证，而0.18微米的MTP制程平台则预计于2012年第1季通过。

力旺表示，宏力与力旺从2005年就开始合作OTP制程平台，陆续推出0.18微米3.3V和5V的低成本OTP制程平台解决方案，目前投入量产的产品已有数10项。

力旺进一步表示，这次与宏力将扩大合作范围，从既有的OTP制程平台扩大至MTP技术上，将使整个嵌入式非挥发性记忆体制程平台更完整，且强化技术服务支援度，满足不同客户的多样化需求。

力旺NeoBit的OTP(One Time Programmable)解决方案是旗下主要的技术和营收重心，这次与宏力扩大合作OTP与MTP的IP设计服务，将提供客户全面的嵌入式非挥发性记忆体解决方案，微控制器(MCU)是主要应用领域之一。

力旺进一步指出，除了与宏力合作的0.18微米逻辑与高电压OTP制程平台已完成建置，并进? J量产阶段多年，0.13微米OTP制程平台预计于2011年底通过可靠度验证，紧接着0.18微米的MTP制程平台预计于2012年第1季通过可靠度验证，未来嵌入式非挥发性记忆体矽智财将可进入更多应用产品端，协助客户降低成本。

宏力半导体企业发展与战略暨法务单位副总裁傅城博士表= ，采用力旺的OTP与MTP的IP设计服务后，宏力可提供客户极具竞争优势的低成本嵌入式非挥发性记忆体制程平台，包括OTP与MTP技术，协助客户降低制造与研发成本，并加速产品上市时间，尤其是在微控制器和消费性电子领域。

力旺与台积电、力晶等晶圆厂合作多年，日前也与力晶旗下8吋晶圆代工厂钜晶合作，以eNVM技术合作开发0.18微米OTP制程平台，也包括3.3V和5V，主要应用于微控制器和语音晶片(Speech IC)等。
．