联电携手新思 抢进28纳米

联电昨（12）日与新思科技（Synopsys）共同宣布，双方在HLP Poly SiON制程合作延伸至28纳米，有助芯片设计公司在较低的风险下，设计出高速低功耗的系统单芯片，并取得更快的产品上市时程。

联电指出，联电与新思科技有长期合作关系，涵跨联电0.18微米至28纳米制程，成功研发出的高质量DesignWare IP，就是在稳固合作关系下的成果。

联电表示，旗下28纳米HLP制程除保留传统Poly SiON技术的成本竞争力，更采用创新的制程技术，具备绝佳的性价比，与业界其它28纳米Poly SiON制程相比，大幅提升效能与功耗表现。

强化的28纳米Poly SiON制程提供芯片设计者由40纳米制程到28纳米制程更顺畅的移转路径，使芯片设计能轻易导入制程并快速上市。联电规划，28纳米HLP制程的新思科技DesignWare嵌入式存储器与逻辑元件资料库，将于2012年第二季推出。