应材新光罩蚀刻系统　解决16奈米以下EUV部分瓶颈

连于慧／台北 日前台积电研发资深副总蒋尚义才呼吁设备厂要多加把劲，为先进制程技术的机台设备研发加把劲，全球半导体设备大厂也都努力推新设备应战。应用材料(Applied Materials)日前表示，将针对16奈米及以下制程，开发出新一代光罩蚀刻系统，可解决极紫外光(EUV)部分的不足。

应材指出，新一代Applied Centura Tetra极紫外光(EUV)先进标线光罩蚀刻系统，可让进行蚀刻新的深紫外光光罩更为精进，协助让扫除部分EUV障碍，让半导体大厂在进入16奈米制程以下时，转而导入EUV机台时可更为顺利。

目前半导体大厂在40奈米、30奈米和20奈米等阶段，都是采用193nm曝光机，而进入16奈米、14奈米等更先进世代后，虽然有多项先进机台设备技术还在被选择中，但EUV技术被探讨的声浪最多。
EUV光罩与传统光罩不同之处在于，传统光罩会选择性发出193nm波长光线，以将电路图形投射到晶圆上，而在EUV所用的13.5nm波长照射下，所有光罩材料都是不透光的，因此包含复杂多层镜面的光罩，会转而将电路图形反射到晶圆上。

应材表示，新一代Applied Centura Tetra系统目的，就是在蚀刻新材料和对堆叠层进行繁复制程，让这种反射模式在运作时，达! 到高度微影良率所需的图形精确度、表面处理和缺陷规格等需求，这种全新光罩蚀刻技术，也能解决16奈米及以下面临的挑战。

应用副总裁暨光罩与矽穿孔蚀刻产品处总经理Ajay Kumar表示，此全新的Tetra极紫外光系统扩展了新技术能力，目前多数先进光罩制造商都使用应材的业界标准Tetra蚀刻平台，公司也会加速下一世代的设计技术脚程。

应材Applied Centura Tetra极紫外光(EUV)先进标线光罩蚀刻系统目前已开始出货，与几乎所有的光罩制造商有合作关系，旨在协助半导体产业采用这项技术转变，而目前16奈米以下制程属于新世代制程，因此此款并非量产型机台，据了解都是以试产机台为主。

日前蒋尚义才公开指出，由于EUV技术还没有达到预定水准，希望设备厂能加把劲，因为台积电内部在2012年初要针对14奈米制程做评估，会选择采用EUV技术或是沿用Immersion 193机台，采多重曝光(multiple patterning)方式进行，而这项决定会影响2015年量产进度，同时台积电也会在201= ~要决定10奈米制程技术，如果EUV技术和多电子光束无光罩微影技术(MEB)都无法量产，但半导体产业是很大的挑战。