格罗方德28纳米 紧追台积

格罗方德半导体（GlobalFundries）在28纳米高阶制程上紧追台积电（2330），该公司全球CEO Ajit Manocha昨（14）日表示，在28纳米制程上已经有客户投产，其余客户处于规格测试阶段，预期2012年可望大规模产出。与台积电今年底量产28纳米制程相较，双方差距已经不到一年。

格罗方德半导体成军之后，瞬间挤身全球第三大晶圆代工厂，与联电的市占率差距在5％以内，在28纳米的先进制程上更是紧追台积电，格罗方德半导体昨日举行成军以来第二度的技术论坛，规模更甚以往，不仅一线主管全员到齐，同时也全球正名为格罗方德半导体。

Ajit Manocha昨日指出，目前该公司在先进制程上仍旧产能满载，呈现供不应求状态，其中28纳米制程的产品在德国的德勒斯登厂（Fab1）已经投产，纽约厂则进入装机阶段，目前有一个客户投单量产，其余测试或验证中的设计定案（Tape out）约有30至35个，公司设定的量产目标为2012年，预计2013年之前将制程推进至20纳米，并朝14纳米目标前进。

在更先进的14纳米制程上，台积电已经敲定采用EUV技术，格罗方德目前仅确定28纳米制程采用Immersion技术，在一年多以前格罗方德虽然已经针对14纳米制程投资相关工具，但目前尚未敲定采何种技术。

相较于台积电对三星步步进逼晶圆代工极为防备，格罗方德半导体采开放态度，与三星针对28纳米高介电金属闸极（HKMG）技术合作，并开放旗下共四座12寸晶圆厂，供客户自由下单，目标锁定智能型手机、平板计算机核心处理器订单，对台积电造成威胁，Ajit Manocha表示，格罗方德重视与三星这种IDM厂的合作关系，未来如果市场成熟，会有更多的策略合作伙伴。

台积电在上季的法说会上表示，28纳米制程预计今年底进入量产阶段，可望占今年度营收比重的1％，外资法人普遍认为28纳米制程台积电将笃定全球第一，在生产的时程上，外资法人估计双方差距在一年以上，随着格罗方德全球正名、积极来台曝光，28纳米制程的量产竞赛，将是晶圆代工产业未来的大戏。