降低先进制程缺陷　无研磨粒CMP方案抬头

陶氏化学(Dow Chemical)旗下之陶氏电子材料于日前发表最新化学机械研磨(CMP)铜制程，全新制程结合陶氏化学独家RL3100无研磨粒、自停(Self-stopping)机制，以及VisionPad 5000 研磨垫，提供CMP铜制程高效能、低成本且高良率的解决方案。

陶氏电子材料CMP研磨液研发总监余维中表示，根据摩尔定律，半导体元件微缩需要全新的CMP制程方案，以因应主要的制造挑战。该公司的研究与应用团队直接与客户合作，确保新的CMP解决方案，符合IC制造商对下一世代元件的需求。此一全新无研磨粒CMP制程是以此需求为发展基础。由于其可提供显著的制程优势及成本效益，已引起业界极大的关注。

据了解，陶氏的RL3100+VisionPad 5000研磨垫CMP铜制程具有以下技术优势，包括在不同的线宽与线谱密度下，均可产生Low-dishing及No-erosion的显著优势，且高铜研磨速率(High Cu Rate)、晶圆表面铜的清除能力(Clearing)、更具有对于阻绝层(Barrier Film)与介电层(Dielectric Film)的极高选择比。另外，还具有高良率、严格的Rs控制、高产能，以及宽大的制程窗口。

余维中指出，含有研磨粒的研磨液，一般会形成Erosion或刮痕(Scratching)，RL3100独特的无研磨粒特性可以将缺陷降到最低，以达成更高的良率。此外RL3100的稀释能力，减免研磨垫的清洗及研磨垫Conditioning的减低，进而增加研磨垫的使用寿命，这些都是RL3100提供低成本的解决方案。

经实际生产测试，陶氏的独家无研磨粒解决方案科已获90～45奈米12寸晶圆高产量制造商采用超过3年。同时，此一新世代无研磨粒解决方案也被领先的整合元件制造商(IDM)选为14奈米节点的记录制程(Process of Record)，以及获得主要晶圆代工厂选为28奈米的矽穿孔(TSV)制程。