美格纳宣布提供三重电压10V CMOS制程应用于高效能混合产品

南韩专业于研发制造数位类比讯号产品的半导体大厂美格纳，今宣布将提供三重电压制程来整合晶片外的高压电路至标准双匣极制程以应用于高效能混合讯号产品。该三重电压制程之创举为：将不需额外加层的CMOS电晶体设计嵌入标准1.8V/5V及1.8V/3.3V CMOS 制程。
新CMOS 电晶体之最大匣极操作电压可达7V，汲极操作电压可达10V，同时Breakdown电压可超过17V。此制程可完全相容于标准的CMOS制程而且不需变更任何制程或额外增加光罩。

新电晶体的导通电阻低于传统的高压电晶体，包括通常担任高电阻路径至汲极接点的载体EDMOS和LDMOS。低导体电阻及高breakdown电压能使IC设计更有弹性的将模拟开关和功率放大器等高效能混合讯号产品整合在1个晶片上。

美格纳技术工程部副总TaeJong Lee 表示：「我们非常开心的宣布即将供应三重电压10V制程以应用在混合讯号产品上。此制程和已量产之三匣极制程及超低噪音制程，为我们成为独特混合讯号制程的领导者迈进一大步。我们会持续提供更多制程解决方案以满足我们晶圆代工客户特殊应用需求。」

关于美格纳半导体

总公司位于南韩的美格纳半导体是1个专业数位类比混合讯号之半导体产品的设计及代工厂。美格纳拥有广大的数位类比混合讯号制程平台，并有超过30年相关经验，具多项专利、工程资源及专业制程。