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[导读]日本电源芯片大厂新日本无线(New Japan Radio)决定扩大与联电(2303)日本子公司UMCJ合作,新日本无线已开始在UMCJ的8寸晶圆厂中,以0.35微米的集成式双极性/互补金氧/双扩散式金氧半导体技术(BCD)量产50伏特高压

日本电源芯片大厂新日本无线(New Japan Radio)决定扩大与联电(2303)日本子公司UMCJ合作,新日本无线已开始在UMCJ的8寸晶圆厂中,以0.35微米的集成式双极性/互补金氧/双扩散式金氧半导体技术(BCD)量产50伏特高压产品。新日本无线目前月投片量约800片,明年将提升1.5倍至2,000片。

UMCJ与新日本无线于2年前宣布合作,联电将以0.35微米的8寸厂产能及技术,配合新日本无线技转BCD制程,共同开发新一代电源管理芯片生产平台,双方在2009年下半年完成了测试元件组(TEG)及制程设计套件(PDK)的开发后,去年开始进行制程认证,今年初开始投产,并于6月正式量产出货。

新日本无线选择UMCJ的8寸厂代工,并将高电流的电源芯片、马达驱动IC、高低端整流芯片、LED驱动IC、D级数码音频放大器等产品线,开始陆续由自家5寸厂转移到UMCJ的8寸厂投片。据新日本无线指出,6月出货产品线虽然只有6种,但今年底将扩大到30种。

相较于其它晶圆代工厂提供的BCD制程,多半仅支持40伏特高压技术,新日本无线与UMCJ合作的BCD制程,已可支持50伏特高压技术,而在0.35微米合作案完成并开始量产之际,双方已开始针对0.18微米高压BCD制程进行开发及合作,并朝向支持80伏特高压技术发展,且联电未来可利用双方开发的BCD技术争取其它类比IC业者订单。

新日本无线现在委由UMCJ代工的产品线不多,月投片量仅800片,但随着产品线陆续移转,明年月投片量估达2,000片,较目前订单成长1.5倍。

在2008年底金融海啸发生后,日本半导体厂已开始释单晶圆代工厂,而今年311大地震后,释单动作更为积极。事实上,UMCJ的产能及技术能力不足以因应客户需求,需要联电进一步在财务、技术、营运上等提供支持,所以联电在去年合并UMCJ并转变为100%持股子公司,如今UMCJ已成联电争取日本IDM厂订单重要据点。



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