可在同一真空下形成所有high-k积层膜，AMAT投产新型ALD装置

美国应用材料公司（AMAT）目前已开始投产用于22nm逻辑IC的栅极绝缘膜ALD（atomic layer deposition）装置“Centura Integrated Gate Stack”。该装置的特点是可在同一真空环境下形成所有高介电率栅极绝缘膜（high-k）的积层构造。由此可以保持各层界面不被污染的状态，提高晶体管的性能。

以铪（Hf）为基础的high-k积层膜采用ALD技术按照每个原子层（2nm）形成。此次的装置可将通常需要4道工序的积层构造全部在同一真空环境下形成。由此，可避免积层构造界面与空气接触而被污染。AMAT表示，现已确认通过使界面不与空气接触，晶体管的电子迁移率最大提高了10％，晶体管间开关电压的变化最大减少了40％（参阅本站报道）。（记者：长广 恭明）