使NXT：1950i支持22nm，阿斯麦将提供提高曝光性能的各种技术

阿斯麦（ASML Holding NV）宣布，将提供可提高该公司ArF液浸曝光装置“TWINSCAN NXT：1950i”曝光性能和生产效率的多种技术。

阿斯麦称，TWINSCAN NXT：1950i从2009年开始供货，目前全球的半导体厂商已导入80多台用于45nm～32nm的产品。为使上述装置支持22nm，需要提高曝光性能，同时客户还希望提高生产效率。此次公开了可满足这些需求的技术。

为提高曝光性能，阿斯麦已经提供了控制照明系统的技术“FlexRay”。另外，此次开始提供控制透镜波面以减少像差等的技术“FlexWave”和修正因掩模温度上升而出现变形误差的技术。关于掩模变形的修正技术，利用新开发的传感器测量初始掩模温度分布，根据测量结果，通过前馈控制算出因热膨胀导致的掩模变形、以及用于修正其变形的透镜和曝光平台的参数修正值。

为提高生产效率，阿斯麦计划在2011年第三季度提供“PEP（Performance Enhancement Package）”。通过在硬件和软件两方面强化曝光装置的性能，将吞吐量提高了15～20％。在曝光125次时可实现175～200张/小时，曝光96次时可实现230张/小时（英文发布资料）。（记者：长广 恭明）