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[导读]尽管紫外光微影(EUV)的一再延迟,已让人对于它的实际商用时程产生疑问,但 EUV 光源供应商 Cymer 表示,随着可提高晶圆产出的新一代光源技术日渐成熟,预估最快在14nm节点, EUV 将可望导入晶圆的量产中。Cymer迄今已

尽管紫外光微影(EUV)的一再延迟,已让人对于它的实际商用时程产生疑问,但 EUV 光源供应商 Cymer 表示,随着可提高晶圆产出的新一代光源技术日渐成熟,预估最快在14nm节点, EUV 将可望导入晶圆的量产中。

Cymer迄今已出货四套3100光源。其3100光源功率为100W,每小时吞吐量约60片晶圆。但该公司预计2012年可开始量产出货3300光源,功率提高到250W,每小时吞吐量则提高到了100~120片晶圆。“这些产品规格是我们与ASML共同制定,”Cymer 公司微影应用总监Benjamin Lin说。

不久前,业界还认为光源功率的提升是实现EUV量产应用的一大阻碍,但业界厂商的努力,看来可望加速达到此一目标。

EUV 目前仍是下一代微影术(NGL)的首选。晶片产业开始采用EUV的关键,是其吞吐量指标必须符合成本效益,其中光源又是驱动吞吐量的关键。而从目前的技术来看,“我们采用的雷射激发电浆型(LPP)光源技术,是实现功率调节的最佳方案,”Lin说。

与另一种放电激发电浆型(DPP)技术相比,“LPP拥有机台较小、易于发展大功率、更高重复频率,以及可透过雷射光源的提高来进行更好调节等特性,”他表示。

该公司表示,透过和晶片制造商的直接合作,将EUV技术导入晶圆厂试产线,将加快该技术的成熟脚步,为迈入更小制程节点的晶圆制造提供避免昂贵双重曝光步骤的方案。 (邓荣惠)



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