窥看国内晶圆代工大亨下一步要干啥
时间:2011-06-10 07:35:00
[导读]作为大陆第一家8英寸晶圆厂,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)在国内专业集成电路晶圆代工方面有着非常成熟的经验。通过近期华虹NEC在深圳举办的2011年全球巡回技术研讨会(深圳站),《电子系统设计》小
作为大陆第一家8英寸晶圆厂,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)在国内专业集成电路晶圆代工方面有着非常成熟的经验。通过近期华虹NEC在深圳举办的2011年全球巡回技术研讨会(深圳站),《电子系统设计》小编和来自深圳地区的百余名IC设计企业人士,深入交流并分享了华虹NEC最新的技术成果和发展蓝图。通过这次研讨会我们来看看这位晶圆代工大亨下一步有什么动态。
本次研讨会的主题是“Unleash Your Success with Our Specialty Technology”,华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士在欢迎致辞上回顾了华虹NEC在过去几年所取得的成绩,同时感谢所有客户和合作伙伴长期以来对华虹NEC的大力支持。销售与市场副总裁高峰先生介绍了公司的市场定位和发展策略。据了解,华虹NEC 2010年的业绩较2009年增长超过了50%,产能利用率超过100%。特别是智能卡和功率类半导体出货量及销售额都刷新了历史纪录。预计2011年销售业绩将会有更大增长。
华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士。
来自华虹NEC的技术专家,在研讨会上重点介绍了公司先进的嵌入式非挥发性存储器平台、功率分立器件技术、模拟/电源管理IC工艺平台以及华虹NEC面向客户需求的设计服务概览。邱慈云博士在研讨会上说:“华虹NEC自成立以来,始终坚持自主创新,坚持从市场需求出发,开发新技术和新产品,我们在工艺方面的投资、研发是持续的”。此外,华虹NEC特邀的合作伙伴还在研讨会上展示了包括IP、设计服务、掩模版制造服务以及电子设计自动化等。
工艺平台路线图。
从上面我们可以看到华虹NEC特色工艺代工技术平台可以分为五大块:嵌入式非挥发性存储器(Embedded Non-Volatile Menmory)、功率分立器件(Discrete Device)、模拟/电源管理IC(Analog & Power Management IC)、射频(RF SiGe BiCOMOS)、高压(HV CMOS)。华虹NEC在国内智能卡代工领域长期保持主导地位,超过7成的二代身 份证、电信卡、社保卡以及电子网银(USB-Key)、银 行卡都是由华虹NEC负责生产制造。值得一提的是由华虹NEC制造的SIM卡芯片,占据着全球四分之一的市场份额。从路线图我们看到,华虹NEC近期将推出的工艺有诸如:在eOTP/MTP中即将推出0.13um OTP (1.8V/6V/32V)、eEEPROM的 0.13um LVt等。
据销售与市场副总裁高峰透露,与华虹NEC合作的6个客户已经成功上市。高峰更是信心十足地表示,未来将会有更多的合作公司成功上市。
华虹NEC近日与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产,成为国内第一家提供此类工艺代工的8英寸厂家。这标志着华虹NEC已成功迈入IGBT代工领域。
在功率分立器件领域,华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂,也是世界上出货量最大的厂家。截至目前,分立器件累计出货超过200万片8寸晶圆,以一片晶圆两万颗芯片计,累积出货超过400亿颗芯片。自2009年以来,华虹NEC连续推出了沟槽400-700V高压MOSFET工艺平台和600-700V超级结结构MOSFET。此次推出的1200V IGBT标志着华虹NEC在功率器件领域的又一个突破,同时,华虹NEC正在开发的国际领先的1700V到6500V高功率IGBT工艺平台,预计将在2012年到2013年陆续进入量产。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、家用电器、微波炉、风电、太阳能逆变器、机车拖动、电网传输等节能减排应用。
在2011年,华虹NEC还将继续提升嵌入式非挥发性存储器技术,使其继续保持全球业界领先地位,并携手战略合作伙伴积极推进0.13um 内嵌Flash与高压/功率器件的产品的商业化。
同时,华虹NEC正积极开发超高压BCD700V和大功率的0.35um BCD加强版,以期为LED照明、大功率电源、马达驱动和音频功放等提供最佳代工解决方案,成为BCD领域的领航者之一。
面对无线射频、物联网和平板电脑等巨大新兴应用市场,华虹NEC正在对目前世界上最前沿的0.13/0.18微米SiGe BiCMOS进行技术攻关,据说已取得重要阶段性成果。华虹NEC的目标是掌握业界先进的0.13微米SiGe BiCMOS大规模工艺技术。能否将国内现有的SiGe HBT工艺提升到国际领先水平,能否为国内自主开发的无线通信射频芯片提供具有自主知识产权的制造和生产技术,能否实现高端无线通信芯片的国产化?这是个艰辛的过程,我们且拭目以待。
本次研讨会的主题是“Unleash Your Success with Our Specialty Technology”,华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士在欢迎致辞上回顾了华虹NEC在过去几年所取得的成绩,同时感谢所有客户和合作伙伴长期以来对华虹NEC的大力支持。销售与市场副总裁高峰先生介绍了公司的市场定位和发展策略。据了解,华虹NEC 2010年的业绩较2009年增长超过了50%,产能利用率超过100%。特别是智能卡和功率类半导体出货量及销售额都刷新了历史纪录。预计2011年销售业绩将会有更大增长。
华虹NEC总裁兼CEO邱慈云博士。
来自华虹NEC的技术专家,在研讨会上重点介绍了公司先进的嵌入式非挥发性存储器平台、功率分立器件技术、模拟/电源管理IC工艺平台以及华虹NEC面向客户需求的设计服务概览。邱慈云博士在研讨会上说:“华虹NEC自成立以来,始终坚持自主创新,坚持从市场需求出发,开发新技术和新产品,我们在工艺方面的投资、研发是持续的”。此外,华虹NEC特邀的合作伙伴还在研讨会上展示了包括IP、设计服务、掩模版制造服务以及电子设计自动化等。
工艺平台路线图。
从上面我们可以看到华虹NEC特色工艺代工技术平台可以分为五大块:嵌入式非挥发性存储器(Embedded Non-Volatile Menmory)、功率分立器件(Discrete Device)、模拟/电源管理IC(Analog & Power Management IC)、射频(RF SiGe BiCOMOS)、高压(HV CMOS)。华虹NEC在国内智能卡代工领域长期保持主导地位,超过7成的二代身 份证、电信卡、社保卡以及电子网银(USB-Key)、银 行卡都是由华虹NEC负责生产制造。值得一提的是由华虹NEC制造的SIM卡芯片,占据着全球四分之一的市场份额。从路线图我们看到,华虹NEC近期将推出的工艺有诸如:在eOTP/MTP中即将推出0.13um OTP (1.8V/6V/32V)、eEEPROM的 0.13um LVt等。
据销售与市场副总裁高峰透露,与华虹NEC合作的6个客户已经成功上市。高峰更是信心十足地表示,未来将会有更多的合作公司成功上市。
华虹NEC近日与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产,成为国内第一家提供此类工艺代工的8英寸厂家。这标志着华虹NEC已成功迈入IGBT代工领域。
在功率分立器件领域,华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂,也是世界上出货量最大的厂家。截至目前,分立器件累计出货超过200万片8寸晶圆,以一片晶圆两万颗芯片计,累积出货超过400亿颗芯片。自2009年以来,华虹NEC连续推出了沟槽400-700V高压MOSFET工艺平台和600-700V超级结结构MOSFET。此次推出的1200V IGBT标志着华虹NEC在功率器件领域的又一个突破,同时,华虹NEC正在开发的国际领先的1700V到6500V高功率IGBT工艺平台,预计将在2012年到2013年陆续进入量产。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、家用电器、微波炉、风电、太阳能逆变器、机车拖动、电网传输等节能减排应用。
在2011年,华虹NEC还将继续提升嵌入式非挥发性存储器技术,使其继续保持全球业界领先地位,并携手战略合作伙伴积极推进0.13um 内嵌Flash与高压/功率器件的产品的商业化。
同时,华虹NEC正积极开发超高压BCD700V和大功率的0.35um BCD加强版,以期为LED照明、大功率电源、马达驱动和音频功放等提供最佳代工解决方案,成为BCD领域的领航者之一。
面对无线射频、物联网和平板电脑等巨大新兴应用市场,华虹NEC正在对目前世界上最前沿的0.13/0.18微米SiGe BiCMOS进行技术攻关,据说已取得重要阶段性成果。华虹NEC的目标是掌握业界先进的0.13微米SiGe BiCMOS大规模工艺技术。能否将国内现有的SiGe HBT工艺提升到国际领先水平,能否为国内自主开发的无线通信射频芯片提供具有自主知识产权的制造和生产技术,能否实现高端无线通信芯片的国产化?这是个艰辛的过程,我们且拭目以待。





