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[导读]英特尔MPU晶体管的发展轨迹。数据由英特尔提供。(点击放大) Tri-Gate实现量产的轨迹。数据由英特尔提供。(点击放大) 美国英特尔公司宣布,将从22nm工艺开始量产采用三维晶体管“Tri-Gate(三栅极)”的MPU


英特尔MPU晶体管的发展轨迹。数据由英特尔提供。(点击放大)

Tri-Gate实现量产的轨迹。数据由英特尔提供。(点击放大)
美国英特尔公司宣布,将从22nm工艺开始量产采用三维晶体管“Tri-Gate(三栅极)”的MPU(英文发布资料)。采用Tri-Gate的首款量产芯片,是开发代码为“Ivy Bridge”的Core系列MPU。

英特尔从2002年召开的学会开始,迄今已在多种场合发布了Tri-Gate。此前基本上都属于技术发布,而此次则首次透露将在量产芯片中采用Tri-Gate。Ivy Bridge预定在2011年内开始量产。

据英特尔的发布资料显示,与32nm的平面晶体管相比,22nm Tri-Gate的速度要快37%。当性能与32nm平面晶体管相同时,22nm Tri-Gate的功耗只有一半。据英特尔介绍,不仅是面向台式电脑、笔记本电脑以及服务器等的MPU,Tri-Gate还适用于上网本、平板电脑以及嵌入设备的专用MPU“Atom(凌动)”。(记者:小岛 郁太郎)

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