3D晶体管问世 英特尔掀革命

英特尔并未透露新晶体管技术细节，但「逻辑技术开发部门」主管波尔（Mark Bohr）指出，该公司将是首家把3D晶体管技术投产的业者，与现有的卅二纳米制程相比，采用廿二纳米制程的3D晶体管，可提高三七％效能，电力消耗仅2D一半。

英特尔自豪地称，这是集成电路自一九五○年代问世以来，矽芯片设计最重大的进展。执行长欧德宁说，有了新科技加持，将可打造出更多「影响全世界的惊奇装置」。

英特尔投入3D晶体管研发已近十年，原理近似在寸土寸金的城市盖摩天大楼，争取更多空间。在平面芯片架构上，新增一道垂直置于基板的薄片，体积却不会加大，创造更高效能，并延续「摩尔定律」（Moore’s Law）。

一九六五年，英特尔共同创办人摩尔（Gordon Moore）预言，随著芯片的制程技术进步，芯片上的晶体管数目每十八个月可增加一倍，效能大幅增进，即为所谓「摩尔定律」。

四十多年来，由于芯片尺寸越来越小，计算机越来越轻薄短小且价格低廉，但受到半导体制造成本日增的影响，摩尔定律面临失效威胁。随著3D晶体管问世，摩尔定律趋势将可持续数年。

3D芯片也可望助英特尔在较弱的移动通信区块，追上对手安谋（ARM）。市面上平板计算机与智能手机几乎都采用安谋芯片，一般认为它较英特尔的x86处理器更省电。

产业分析师对三闸技术多半抱持期待心理，市调机构VLSI Research执行长哈奇森说：「我们寻觅了几十年，现在出现了革命性的技术变革。」

Mercury Research芯片分析师麦卡隆也认为，尽管3D晶体管细节尚未明朗，但将引领潮流。「英特尔将把3D晶体管量产，意味它已是完成体。」 另有分析师表示，英特尔可望领先对手一整个世代。台湾的台积电表示，两年内不会运用三闸技术。