盛美12英寸单片清洗技术用于清洗10nm超微颗粒

盛美半导体（上海）有限公司日前在中国半导体国际展上发表了十二英寸单片兆声波清洗设备的最新工艺，本工艺用于45nm技术及以下节点的十二英寸高端硅片清洗。盛美独家具有自主知识产权的清洗技术可以去除数十纳米超微小颗粒，同时使硅片表面的材料损失降到最低，并且不影响硅片表面的平整度。

随着半导体芯片制造进入更小的技术节点，清洗技术的一大挑战是在控制硅片表面的材料损失以及保护硅片表面平整度的前提下，做到最大限度的减少缺陷密度。当积成电路线宽越变越小，可影响硅片良率的颗粒也越来越小，而颗粒越小越难清洗。在硅片清洗时，如何避免微结构损伤也是一个很具挑战的难题，这就造成了控制芯片良率的清洗工艺窗口越来越小。

盛美半导体设备公司的创始人、首席执行官王晖博士说： “ 要攻克45纳米及以下技术节点的清洗难关，一个理想的解决方案就是平衡物理力量和化学力量。我们的Ultra C单片清洗机是首次能凭借兆声波与特定的稀释化学液，清除数十纳米微颗粒，并在客户生产线上展现出了非凡的微颗粒清除效率与可观的良率提升。”

盛美独有的自主知识产权技术，“SAPS”（空间交变相移）技术 可以控制兆声波能量在硅片面内以及硅片到硅片之间的非均匀度都小于2%。而目前在市面上的单片兆声波清洗设备只能控制兆声波能量非均匀度在10-20%。

盛美的十二英寸Ultra C单片清洗机是量产型设备，用于45纳米及以下技术节点，可内置八个清洗腔体，每小时可加工250-350片硅片，兼容5种可循环利用的化学液体，多家亚洲客户正在对该设备进行研发及生产评估。