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东电电子发布等离子SiN装置及干式清洗装置
时间：2010-12-01 03:47:00
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[导读]东电电子（TEL）将在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出三款新产品，包括两款绝缘膜成膜装置和一款清洗装置。分别为批量处理式成膜装置“TELINDY PLUS IRad SA”、在枚叶式成膜装置“Trias e+ SPAi”上追
东电电子（TEL）将在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出三款新产品，包括两款绝缘膜成膜装置和一款清洗装置。分别为批量处理式成膜装置“TELINDY PLUS IRad SA”、在枚叶式成膜装置“Trias e+ SPAi”上追加了新功能的装置及干式清洗装置“Certas WING”。
“TELINDY PLUS IRad SA”用于形成氮化硅（SiN）膜，将从2010年12月开始受理订单。据东电电子介绍，该装置是销量约为200台的“TELINDY/TELINDY PLUS IRad”的后续机型，提高了生产效率及成膜性能。生产效率方面，从原来的一次可处理100张增加到了125张。另外，还改进了反应器及等离子源，采用了快速升降温加热器。这样一来，虽然生产效率还因膜厚及工艺条件而异，但比原来最大增加了50％。同时还抑制了粒子的生成，预防性维修（preventive maintenance：PM）周期最多可延长到原来3倍。通过改进石英反应器的构成，还提高了维修时的作业效率。成膜性能方面，通过最大限度确保石英舟上的晶圆间距，加大了工艺裕度等，还可满足今后的工艺需求。
面向“Trias e+ SPAi”追加新功能的装置提高了枚叶式等离子氧化及氮化处理装置的等离子控制性能，将从2011年1月开始受理订单。由此，便可实现今后伴随工艺微细化所需的支持三维（3D）元件构造的成膜，另外还将改善膜质。
“Certas WING”是“Certas”的后续机型，将从2010年12月开始受理订单。主要面向二氧化硅膜（SiO2）的蚀刻和回蚀，以及接触孔的预清理等。东电电子重新设计了腔体，处理能力提高到了原来的2倍，同时还减小了装置的尺寸。（记者：长广 恭明）
“TELINDY PLUS IRad SA”用于形成氮化硅（SiN）膜，将从2010年12月开始受理订单。据东电电子介绍，该装置是销量约为200台的“TELINDY/TELINDY PLUS IRad”的后续机型，提高了生产效率及成膜性能。生产效率方面，从原来的一次可处理100张增加到了125张。另外，还改进了反应器及等离子源，采用了快速升降温加热器。这样一来，虽然生产效率还因膜厚及工艺条件而异，但比原来最大增加了50％。同时还抑制了粒子的生成，预防性维修（preventive maintenance：PM）周期最多可延长到原来3倍。通过改进石英反应器的构成，还提高了维修时的作业效率。成膜性能方面，通过最大限度确保石英舟上的晶圆间距，加大了工艺裕度等，还可满足今后的工艺需求。
面向“Trias e+ SPAi”追加新功能的装置提高了枚叶式等离子氧化及氮化处理装置的等离子控制性能，将从2011年1月开始受理订单。由此，便可实现今后伴随工艺微细化所需的支持三维（3D）元件构造的成膜，另外还将改善膜质。
“Certas WING”是“Certas”的后续机型，将从2010年12月开始受理订单。主要面向二氧化硅膜（SiO2）的蚀刻和回蚀，以及接触孔的预清理等。东电电子重新设计了腔体，处理能力提高到了原来的2倍，同时还减小了装置的尺寸。（记者：长广 恭明）
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