Via First和Via Last

TSV制程以目前开发的技术及制程的先后顺序，可分为先钻孔(Via First)与后钻孔(Via Last)；采用Via First制程均须在传统后段封装制程前进行导孔形成(Via Forming)与导孔充填(Via Filling)的步骤，而此类制程的Via Forming均需要透过黄光显影与蚀刻步骤形成导孔。

Via Last制程则主要是在传统后段制程前以雷射钻孔方式进行Via Forming与后续的Via Filling步骤。由于导孔径规格较蚀刻制程孔径为大，使得I/O间距无法达成太小的规格，也造成芯片所能容纳的脚数有限，因而适用于如影像传感器或闪存(Flash)等较低脚数的应用产品。(李洵颖)