全球晶圆携手飞思卡尔研发90奈米闪存技术

全球晶圆(Global Foundries)除了在28奈米制程上，宣布以28奈米高介电金属闸极(HKMG)技术，试产出全球首颗安谋(ARM)Cortex-A9架构的芯片外，同时也宣布与飞思卡尔(Freescale)合作研发90奈米闪存技术，进一步强化合作关系。

全球晶圆与ARM在2009年第3季宣布策略合作计划，就是看好未来广大的行动运算市场。而就在全球晶圆与ARM携手后，台积电也于2010年宣布与ARM，合作开发28奈米及20奈米制程嵌入式内存及标准组件库在内的实体智财产品。

因此，全球晶圆大动作公布采用28奈米制程产出首颗ARM Cortex-A9芯片，亦被业界认为宣示意味浓厚，全球晶圆进一步指出，该芯片于德国德勒斯登Fab1进行试产，预计于2010年底前进行量产。

根据全球晶圆与ARM的估计，相较于40奈米制程，28奈米制程可望提升40%的效能、同时降低30%的功耗，并提升100%的待机电池续航力。

ARM执行副总裁Simon Segars表示，随着半导体推进先进制程，设计与制造端的合作将会更为紧密，透过ARM的硅智材与全球晶圆经验证的量产能力，将会对行动运算领域带来创新的平台，并且将使客户更快速进入28奈米HKMG的技术领域。

同时，全球晶圆也公布和飞! 思卡尔一系列基于90奈米闪存技术的新薄膜内存(TFS)计划，飞思卡尔计划将该技术应用于新一代的的微控制器(MCU)上，可? 鼋q消费电子产品和家用电器到医疗设备和智能计量系统的各种应用。

全球晶圆指出，90奈米薄膜内存技术与其他传统的NVM架构不同，采用1种创新型硅奈米晶体技术，具有位级的可靠性、速度、功率和尺寸。

根据双方的合作细节，飞思卡尔的TFS技术具有FlexMemory功能，可配置电可程序设计内存(EEPROM)，将应用于飞思卡尔ColdFire和Kinetis系列32位MCU产品。该系列产品将采用全球晶圆的90奈米技术制造。早期测试芯片已经在全球晶圆位于新加坡的Fab7进行生产，预计技术认证将于2011年上半年完成。

随着摩尔定律延伸，技术层次越高，如同台积电发展More-than-Moore技术，全球晶圆也寄望切入微机电(MEMS)、模拟技术等领域，拓展多样性的市场机会。