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支持三维构造及30:1纵横比AMAT发布用于20nm工艺以后的CVD技术
时间：2010-08-27 07:13:00
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[导读]美国应用材料公司（AMAT）发布了支持20nm工艺以后的存储器及逻辑IC的新CVD技术“Eterna FCVD（Flowable CVD）”。在20nm以后的工艺中，即使采用与目前相同的存储器单元构造和晶体管构造，随着微细化的发展，隔离元件
美国应用材料公司（AMAT）发布了支持20nm工艺以后的存储器及逻辑IC的新CVD技术“Eterna FCVD（Flowable CVD）”。在20nm以后的工艺中，即使采用与目前相同的存储器单元构造和晶体管构造，随着微细化的发展，隔离元件的纵横比也会升高，再加上该公司正考虑采用三维存储器单元构造及Fin晶体管构造，因此很可能需要在复杂且具有高纵横比的构造中嵌入绝缘膜的技术。此次开发的就是以满足这类需求为目的的CVD技术。
发布资料显示，此次采用的CVD技术形成了性质与不含碳的液体接近的绝缘膜。由于接近液体，因此可自由流入到各种形状的结构中，从底部以无空隙形式嵌入对象构造。因此，实现了高达30:1以上、即目前5倍以上的纵横比、可在复杂形状的构造中嵌入绝缘膜。
由于所需的装置数量及工序数量都比原来的SOD（旋转涂覆）少，因此可将成本减半。此次的Eterna FCVD系统配备在该公司的“Producer”平台上。该公司表示，此次的技术已提供给五家DRAM及闪存厂商和一家逻辑IC厂商，还预定2010年第四季度面向另一家逻辑IC厂商提供。（记者：长广 恭明）
发布资料显示，此次采用的CVD技术形成了性质与不含碳的液体接近的绝缘膜。由于接近液体，因此可自由流入到各种形状的结构中，从底部以无空隙形式嵌入对象构造。因此，实现了高达30:1以上、即目前5倍以上的纵横比、可在复杂形状的构造中嵌入绝缘膜。
由于所需的装置数量及工序数量都比原来的SOD（旋转涂覆）少，因此可将成本减半。此次的Eterna FCVD系统配备在该公司的“Producer”平台上。该公司表示，此次的技术已提供给五家DRAM及闪存厂商和一家逻辑IC厂商，还预定2010年第四季度面向另一家逻辑IC厂商提供。（记者：长广 恭明）
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