尼康与ASML围绕英特尔展开攻防战

围绕新一代半导体制造中使用的曝光装置，尼康与荷兰阿斯麦（ASML）之间的攻防战越来越激烈。双方最大的焦点是逻辑LSI用曝光装置。更具体地说，就是美国英特尔公司将决定22nm和16nm工艺中选择采用何种曝光装置，而这正是尼康“大本营”。在2010年2月底于美国圣何塞举行的“SPIE Advanced Lithography 2010”及其前后的发布中，备受关注的一点就是ASML宣布其获得了英特尔的“Preferred Quality Supplier（PQS）Award”大奖。对ASML来说，这是首次获得此项大奖。

ASML自己宣布获奖，是为了强调“英特尔的新一代逻辑LSI采用了ASML的曝光装置”。目的是通过公布获奖一事，来间接表明英特尔采用了自己公司的产品这一事实。另外，尼康也宣布自己获得了此项大奖。

英特尔正在开发新一代的22nm工艺，其中采用了ASML的曝光装置。估计英特尔采用的是二次图形曝光（Double Patterning）用ArF液浸曝光装置，另外还采用了尼康的装置。英特尔量产22nm工艺时，二次图形曝光用ArF液浸曝光装置方面，ASML的采用比例有可能会接近半数。

估计英特尔采用ASML的曝光装置的原因在于CoO（Cost of Ownership）。ASML的二次图形曝光用ArF液浸曝光装置的价格，要比尼康的装置高几十％。如果可以获得超过这个价格差的生产效率，ASML的曝光装置就可以在CoO上处于优势地位。其实，在面向32nm工艺的量产用ArF液浸曝光装置的CoO方面，最初ASML一直领先于其他厂商，不过之后尼康的装置逐渐接近业界公开的性能，ASML和尼康在CoO方面势均力敌。

对于尼康来说，与ASML共同分享向英特尔量产用ArF液浸曝光装置这块“蛋糕”是非常痛苦的。原因是在32nm和45nm工艺用途中，此前基本上一直是由尼康垄断量产用曝光装置。

另外，估计在2015年以后开始量产的16nm工艺用途中，英特尔可能会采用EUV（Extreme Ultra Violet）曝光装置。ASML和尼康在EUV曝光装置方面所采取的战略有很大差别。ASML自己冒险主导开发了EUV曝光装置，实用化的预感越来越强烈。首先，预计DRAM和NAND型闪存厂商将在2010年下半年以后开始导入ASML的试制用和初期量产用EUV曝光装置，在2011年下半年以后用于内存的量产中。（记者：加藤 伸一）