GlobalFoundries：下半年直接两级跳，28/32nm制程同开HKMG
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自去年10月份宣布结成合作关系之后，GlobalFoundries与ARM公司近日又公布了用于制作ARM公司无线芯片产品的两种28nm制程的更多 细节，据称这种芯片是一种基于Coretex-A9核心的SOC移动芯片产品。双方还表示将在移动世界会议上（Mobile World Congress）展示GlobalFoundries的28nm HKMG制程技术的细节。
根据双方的介绍，GlobalFoundries将使用两种不同的28nm制程工艺为ARM公司生产无线产品，其一是28nm超低功耗制程，其二是28nm高性能制程，两种制程中均将使用HKMG技术。
GlobalFoundries表示他们将于今年下半年在位于德累斯顿的Fab1工厂开始使用28nm高性能制程来生产ARM公司的芯片产品；而面向移动应用的28nm超低功耗制程则将于明年年初开始投产。
与已经将32nm制程技术（采用第二代Gate-last HKMG技术）推向市场，并且已经在45nm制程节点实现Gate-last HKMG技术的Intel相比，GlobalFoundries目前正在努力推进其SOI制程的32nm化，他们计划于今年年中将32nm SOI制程的产品推向市场，值得注意的是，这次的28/32nm节点是GlobalFoundries首次在其实际产品中实现Gate-first HKMG技术，之前的45nm制程虽然也采用了High-k栅绝缘层，但是栅极材料仍然使用硅而不是金属制作。
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