[导读]台积电(TSMC;TSM-US;2330-TS)与美商高通(Qualcomm;QCOM-US)今天宣布正密切合作,将无线通信产品由45奈米制程直 接推进至28奈米制程,以更具成本效益,将更多功能整合在更小芯片上,加速无线通信产品在新市场的扩展
台积电(TSMC;TSM-US;2330-TS)与美商高通(Qualcomm;QCOM-US)今天宣布正密切合作,将无线通信产品由45奈米制程直 接推进至28奈米制程,以更具成本效益,将更多功能整合在更小芯片上,加速无线通信产品在新市场的扩展。
高通预计第一批产品将在2010年中投产。
台 积电指出,28奈米制程密度可较前一代制程高出1倍,让执行行动运算的半导体组件,能在更低耗电下,提供更多功能。
高通与台积电目前在28 奈米世代的合作,包括高介电层/金属闸(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技术,以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗电高速制程技术。
高通包括Snapdragon?芯片组平台在内的下世代系统单 芯片解决方案,小尺寸与低功耗是重要特色。
高通与台积电过去在65奈米与45奈米制程技术就已密切合作,现在更进一步延伸至低耗电、低漏电 的28奈米世代进行量产。
高通预计于2010年中投产首批28奈米产品。
高通并指出,其整合无晶圆厂制造模 式(Integrated Fabless Manufacturing;IFM)成功的关键,就是与策略性技术及集成电路制造伙伴密切合作,不但展现极高的效率,也加速整个产业的技术发展。
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