氮化镓何去何从？EPC 公司推出关于氮化镓技术的6个视频应用于工业及消费类产品

EPC分享由专家制作的关于终端应用的6个视频，例如无线电源传送、单级48 V–1 V DC/DC转换，以及采用氮化镓晶体管及集成电路、面向4G/LTE基站的包络跟踪等应用。

21ic讯 宜普电源转换公司制作了6个视频，于网上分享采用eGaN^® FET及集成电路(IC)并面向最终用户的应用。这些视频展示出氮化镓技术如何改变了我们的生活方式及挑战功率系统设计工程师如何在他们的新一代功率系统设计中发挥氮化镓场效应晶体管的卓越性能。

关于在各种应用采用氮化镓晶体管的视频包括：

1.从EPC公司于2016年APEC研讨会上的展台所演示的应用可以看到，eGaN技术的出现，改变了我们的生活方式

Alex Lidow在本视频与工程师分享基于eGaN FET及集成电路的应用超过十多种，包括48 V–负载点 DC/DC转换、无线电源传送、LiDAR及包络跟踪等应用。

2. 面向无线电源传送应用的eGaN技术

eGaN产品已经广泛地被应用于各种无线电源传送系统，包括多模式系统。本视频展示出如何于各种应用发挥eGaN产品的优势。除了展示EPC公司的解决方案外，我们也与工程师分享多个客户应用于无线电源的最终产品，包括Witricity、Solace Power及 Gill Electronics等。

3.面向LiDAR应用的eGaN FET

光学遥感技术(LiDAR)在需要更快速形成三维图像及更高准确度的应用日益受欢迎，例如全自动驾驶车辆的导航及扩增实景(AR)系统。本视频展示由于eGaN FET具备超短速的转换时间(数百 picosecond),因此可以实现大电流脉冲。

4.面向包络跟踪应用的eGaN FET

包络跟踪技术可以使得通信基站的效率倍增，以及延长采用4G及5G标准的移动电话的通话时间。我们在本视频展示面向包络跟踪应用、60 W、20 MHz频宽、4相、与LTE兼容、基于eGaN FET的演示板具备超快速性能。

5.面向48 V–POL DC/DC转换的eGaN FET、集成电路及模块

重新考虑采用氮化镓技术的伺服器功率结构。 氮化镓技术可以省却目前所需的12 V中间总线转换器(IBC)而同时提高电源使用效率(PUE)。本视频展示1)采用TI的氮化镓基模块在40 A时可实现单级转换(从48 V直接转换到1 V);及2)采用eGaN集成电路在20 A时可实现从48 V直接转换到1.8 V的硬开关降压转换器。

6.利用eGaN技术在1/8砖式DOSA外形设计实现700 W DCX DC/DC转换

本视频展示使用1/8砖式 DC/DC转换器尺寸、以DCX模式操作的700 W DC/DC转换器。我们可以看到，由于eGaN FET具备卓越的开关特性、散热性能及小尺寸等优势，因此eGaN FET可以在DOSA标准的砖式占板面积上实现更高的功率密度。

宜普电源转换公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow称：「这个精简视频系列为工程师介绍由高性能氮化镓场效应晶体管及集成电路推动并面向最终用户的应用，旨在帮助具备创新和前瞻性思维的功率系统设计工程师如何发挥氮化镓产品的优势,点亮氮化镓创新之路。」

以上的氮化镓应用视频可以在EPC视频库或优酷视频找到。

关于讲者

讲者包括Alex Lidow、Michael DeRooij、David Reusch、John Glaser及Yuanzhe Zhang博士，他们都是EPC公司的应用工程人员，在功率晶体管设计及应用方面共同拥有超过75年的相关经验。他们都拥有理学博士学位及在新兴的氮化镓晶体管及集成电路技术方面拥有实战经验。