当前位置:首页 > 消费电子 > 消费电子
[导读]覆晶(Flip-Chip)技术逐步纯熟,2014年覆晶产品导入各项应用的比重将明显提升,业者积极将覆晶技术导入Flash LED应用,三星顺势扩大Flash LED产品版图,宣布推出采覆晶技术的标准封装规格2016的Flash LED。Flash LED需

覆晶(Flip-Chip)技术逐步纯熟,2014年覆晶产品导入各项应用的比重将明显提升,业者积极将覆晶技术导入Flash LED应用,三星顺势扩大Flash LED产品版图,宣布推出采覆晶技术的标准封装规格2016的Flash LED。

Flash LED需要具备高稳定性、发光角度小、低电压即可驱动等特质,覆晶具有发光角度大、封装体积小、高光效的优势,适合用于面积有限,可以瞬间通过大电流的Flash LED产品中。

三星过去的Flash LED产品多采用4039与4139封装规格,以供应旗下品牌手机为大宗。随着品牌手机大厂纷纷导入双Flash LED设计,带动需求的拉升,三星也在2014年宣布推出标准封装规格2016的Flash LED产品,值得关注的是,三星的2016 Flash LED产品采用覆晶技术。

根据三星的说法,全新的标准型2016 Flash LED将导入覆晶技术,并且同步采用三星独有的cell-film 萤光粉技术,也就是在每个单一封装元件上贴覆萤光粉薄膜,而这颗2016产品的光输出达220lm,并能有效的改善色偏达40%,同时提供比过去传统Flash LED更好的光品质。
本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

业内消息,上周德媒报道慕尼黑地区法院作出一审判决,认定三星电子在生产的移动通信设备中侵犯了由大唐拥有的4G标准必要专利。

关键字: 三星 大唐 4G 专利

5月8日消息,三星宣布,3nm芯片顺利流片,为芯片的大规模量产做好了准备。

关键字: 3nm 三星 芯片

业内消息,近日台积电在北美技术研讨会上宣布,正在研发 CoWoS 封装技术的下个版本,可以让系统级封装(SiP)尺寸增大两倍以上,实现 120x120mm 的超大封装,功耗可以达到千瓦级别。

关键字: CoWoS 台积电 封装

据韩媒《朝鲜日报》消息,三星集团已确认已决定将适用于三星电子等部分关联公司的“高管每周工作 6 天”扩大到整个集团。三星子公司的人力资源团队直接通过口头、群聊和电子邮件向高管传达了这一新政,而非正式信函的形式。

关键字: 三星

近日有韩媒称,由于薪资谈判破裂,劳资双方未能缩小对涨薪的意见分歧,三星电子全国工会(NSEU)即日起将发起公司成立以来首次集体行动,工会当天在华城市(Hwaseong)京畿道华城园区的组件研究大楼(DSR)前举行文化活动...

关键字: 三星

美国商务部日前宣布,将向三星提供64亿美元的资助,用于在德克萨斯州建设芯片工厂。

关键字: 芯片工厂 芯片资助 三星

新型LPDDR5X是未来端侧人工智能的理想解决方案,预计将在个人电脑、加速器、服务器和汽车中得到更广泛的应用

关键字: 三星 人工智能 LPDDR5 处理器

业内消息,昨天美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元(当前约合 464.64 亿元人民币)的补贴,而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元,建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

关键字: 三星 2nm 晶圆厂

据韩联社报道,上周三星电子发布业绩报告显示,随着芯片价格反弹,预计今年第一季度营业利润同比骤增931.25%,为6.6万亿韩元(当前约合人民币354.6亿元),已经超过了2023年全年营业利润6.57万亿韩元。

关键字: 内存 三星

业内消息,上周韩媒报道三星SDI韩国基兴工厂发生火灾,随后三星SDI消防监督员向消防部门报案,消防部门赶往现场并花了约20分钟扑灭火情,火灾原因初步认定为建筑工地焊接引发,具体损失仍在调查中。

关键字: 三星 半导体
关闭
关闭