当前位置:首页 > 消费电子 > 消费电子
[导读]全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示,在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影

全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示,在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影响 NAND 产能调配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供应商营收较第三季下滑4.5%,来到61亿6,800万美元。

2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少,因此第四季营收较 2012年同期增加16%;DRAMeXchange表示,随着先进制程的良率改善与快速导入嵌入式产品,整体产业依旧维持稳健向上的格局。

以第四季NAND Flash品牌厂商营收排行来看,三星(Samsung)营收为24亿5千7百万美元,市占率小幅提升至39.8%,维持领先;东芝(Toshiba)营收约为15亿4,200万美元,市占率小幅衰退至25%,排名第二;美光(Micron)营收为9亿5,700万美元,排名第三。排名第四的SK海力士受到无锡厂火灾后部分 NAND 产能挪移至DRAM,营收下滑至7亿3,000万美元,市占率为11.8%;英特尔(Intel)排名第五,营收为4亿8,700万美元,市占率为7.8%。

三星电子高阶智慧型手机出货不如预期影响相关 Mobile NAND 表现,第四季 NAND Flash 季营收仅较第三季增加1.8%,第四季平均销售单价下滑接近10%,单季位元出货也仅有5%的成长。在制程转进上,三星电子现阶段的eMMC、eMCP与SSD全力转进19奈米外,3-bit MLC的嵌入式应用也已顺利打入几个主要个人电脑与手机制造商的供应链。

而三星先进制程1Z奈米的产品也预计将从第二季开始量产、3D-NAND的企业级固态硬碟则是已经在第四季顺利送样给云端运算供应商测试,未来生产3D-NAND Flash的基地主要将放在本季开始运转的中国西安厂,考量到云端运算所带动伺服器固态硬碟的需求强劲,三星2014年NAND Flash的策略重点将从过去以行动装置为主的eMMC,转向企业级固态硬碟。

东芝电子第四季受到旺季不旺影响,NAND Flash营收较第三季衰退将近15%,达到15.42亿美元,主要策略性客户出货表现不如预期;而第四季供过于求的市况也让平均销售单价跌幅高于预期,营收衰退的幅度较为明显。

从制程转进的角度来看,第四季东芝顺利从19奈米转往A-19奈米后,产出比重与良率可望自本季开始逐月改善,A-19奈米的嵌入式产品(Embedded Product)也将从第二季开始量产,将有机会带动营收成长;同时东芝为了分散客户过度集中的风险,积极争取更多笔电与行动装置OEM订单。

根据SK海力士第四季营运报告,受到 2013年9月份无锡厂火灾后产能移转的影响,SK海力士第四季NAND Flash营收为7.3亿美元,较第三季衰退17%,位元出货量也因此季减14%,而SK海力士第四季平均销售单价较第三季下滑5%,主要因素来自于高容量eMMC的销售比重持续攀升的关系。

TrendForce预期海力士因火灾移转到DRAM的NAND Flash产能将自今年第一季开始逐步回升,目标将在下半年之前恢复到去年火灾前的水准。在策略上,SK海力士的16奈米eMCP与eMMC也已开始送样,预估自第二季开始量产。同时海力士也将加速自行开发相关的NAND Flash控制晶片来提升eMMC与SSD的产品竞争力。

美光本季NAND Flash营收较上一季增加9.7%,来到9.57亿美元,同时因新加坡厂DRAM转进NAND Flash进度顺利所致,单季位元出货量较上季增加17%。而平均销售单价下滑6%外,受惠20奈米 eMMC 与 SSD 产品销售比重持续攀升,单位成本也较前一季下滑7%,因此获利能力依旧能够保持稳定。

从策略的角度来看,固态硬碟已然成为美光的营运重点,营收比重已占全部NAND Flash营收的48%,而16奈米的先进制程产品也将从下个季度开始量产外,3D-NAND Flash最快在下个季度可送样,预计2015年下半年进行量产。而随着尔必达(Elpida)正式纳入美光集团,美光在mobile NAND Flash的竞争力也将逐步攀升。

在英特尔部分,虽然企业级固态硬碟需求依旧持续强劲,然而三星与其他业者近几个季度以来持续专注在企业级固态硬碟的努力让竞争逐渐加剧,因此第四季英特尔NAND Flash营收仅较第三季微幅成长1.1%,来到4.8亿美元。

英特尔目前现阶段为企业级固态硬碟市占率领先的厂商,产品组合也多以高端的产品线为主,因此英特尔目前积极将全数固态硬碟产品线转进20奈米来降低成本以提升产品竞争力。
本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

业内消息,近日韩国存储芯片巨头SK 海力士宣布,为应对用于 AI 的半导体需求剧增,决定扩充 AI 基础设施(Infra)的核心产品即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力(Capacity) 。

关键字: SK海力士 DRAM

美光 2500 SSD 采用业界领先的 QLC NAND,性能远超竞品

关键字: 数据中心 SSD NAND

2024年3月27日上午,美光西安新封测厂奠基仪式成功召开。

关键字: DRAM NAND 美光 西安 封测

3月25日消息,据媒体报道,英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。

关键字: SK海力士 英特尔

西班牙塞维利亚,2024年3月12日 — Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该...

关键字: 图像传感器 Flash 摄像机

业内消息,韩媒称三星电子已将西安工厂的NAND闪存开工率至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为 20 万片 300mm 晶圆,占三星整体 NAND 产量的 40%。

关键字: 三星 NAND 闪存 存储

SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题,减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间

关键字: 半导体 存储 NAND

业内消息,NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。不少NAND相关业者表示,NAND芯片供应商为达赚钱目的将持续强力拉抬报价,预料还要再涨四成以上,才能让大厂...

关键字: NAND 芯片

在这篇文章中,小编将为大家带来JTAG接口与Flash的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。

关键字: JTAG Flash
关闭
关闭