三星成功研制首款采用LPDDR4的移动DRAM

三星本次推出的高速8Gb的LPDDR4移动DRAM将提供最高级别密度、性能和能效对比，能够让用户更快更灵活的使用应用，提供更加丰富的功能，在延长电池续航的同时为高分辨率显示屏提供支持。

本次8Gb的LPDDR4内存采用20nm制程进行制造，单一芯片上提供1GB，相比较现今使用DRAM的密度大大提高。通过装备4块8Gb的芯片能够实现4GB的LPDDR4的封装，提供前所未有的性能体验。

这款全新的8Gb LPDDR 4采用了低电压摆幅终端逻辑（LVSTL）I/O接口，该接口已经通过了JEDEC的认证。基于这个全新的接口LPDDR 4芯片的数据传输速率能够达到3200MBPs，是现有LPDDR3的两倍。从总体上而言新的LPDDR4接口在性能上要比LPDDR3要高50%，此外能耗减少40%，维持在1.1伏特左右。