灿芯半导体争当设计服务业的排头兵

10月10日“中国集成电路设计业2013年会暨合肥集成电路创新发展高峰论坛”在合肥盛大开幕,云集了众多业界知名的晶圆代工厂、EDA、IP及IC设计产商，灿芯半导体仍然与投资方中芯国际联袂参展，展示了其先进技术的最新进展和成功案例。
自从2010年中国大陆第一大芯片代工厂中芯国际投资灿芯半导体后，灿芯半导体所有工艺产品都是与其合作的。中芯国际拥有世界先进的制造工艺、稳定的生产线、充足的产能和高品质的良率，再加上灿芯半导体的高端设计能力和定制化的IP，客户在中国就可以享受到一站式的、高性价比的先进制程服务。
在展会现场可以看到灿芯半导体的先进工艺制程项目比重在逐年攀升，特别是在40纳米工艺上的项目发展迅速，已成功tape out超过十个基于ARM Cortex Ax核的40纳米项目，涵盖了A5、A7、A9，单核、双核到四核，积累了丰富的先进技术设计实践经验。与Cadence在DDR上的合作极大地增强了灿芯半导体在IP上的核心竞争力，种类涉及DDR2、DDR3、LPDDR1、LPDDR2，支持中芯国际的130nm/110nm、65nm、55nm、和40nm工艺,可以为客户提供客制化的软核DDR PHY的固化IP及LPDDR2/DDR2/DDR3 combo硬核PHY。
除此之外，灿芯半导体在低功耗、高性能产品的设计上颇有建树，拥有一系列完整的低功耗设计技术如clock gating、power gating、multi-Vt、DVFS、power-switch、voltage island等，能有效地降低客户产品的静态和动态功耗。配合高端芯片的封装需求，灿芯半导体通过对KGD的选择、相应SoC芯片设计、封装与基板设计和测试方案的确定，可以提供一系列完整的SiP封装服务。
灿芯半导体研发部副总裁杨展悌教授指出：“目前业界主流的Cortex A系列SoC解决方案将向更先进的40纳米、28纳米工艺节点和多核的方向发展，A7多核方案正逐渐取代A9核在智能手机SoC上的应用。灿芯半导体顺应这一市场趋势，在过去一年中和客户密切合作成功开发多款40纳米的ARM Cortex A系列的SoC芯片，性能达到国际领先水平，如双核的Cortex A9测试结果达到1.5GHz。我们的目标是在2014年推出28纳米四核解决方案。”
“灿芯半导体今年营收的主要增长点来自于中国大陆和美国，得益于我们与中芯国际的紧密合作关系以及高端技术领域项目比重的增加”，灿芯半导体市场与销售副总裁徐滔先生表示，“灿芯半导体正处于一个健康成长的青春期，随着对先进技术持续不断地投入，我们希望能为中国半导体生态系统良性循环提供强有力的促进作用。”