IGBT市场商机无限 中韩厂商成不稳定因素

在2011-2012年IGBT市场少许反常性的下跌后，Yole分析师预期今年市场已回归稳定成长脚步，具体而言，市场规模预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美金。

IGBT市场成长的五大动力源
IGBT在电动车/动力混合汽车( EV/HEV)，再生能源( Renewable Energies)，电机驱动器( Motor Drive)，不间断电动力系统 (UPS)及交通上的应用是市场成长的动力来源。
其中，电机驱动器是带动IGBT市场成长的最大动力，又可区分为工业、商业和住宅应用；风能，太阳能等再生能源也是IGBT市场成长的帮手。不过，这两个产业多赖政府补助或投资，难以正确预估其成长趋势。幸运的是，日本与一些发展中国家风能与太阳能市场的成长，约可弥补欧洲市场的成长趋缓；基于提高能源效率的要求，大众运输及不间断电源系统等基础建设需求也驱动了IGBT市场的成长；至于IGBT在EV/HEV应用的情况尚无法确定，从2013年第一季EV/HEV的市场季报及其技术演变来看，增长一定会来到，但无法准确断定成长幅度及时间。

除了上述的几个主要成长动力外，Yole还对潜在应用进行了分析，其中一些重要趋势不容忽视，例如所谓的“变频器化”（Inverterization）便是其中之一。
为了达到高端家电更高性能、更舒适、更节能的必备条件，越来越多家电电机驱动器都要求配备变频器。消费者也越来越习惯使用先进的家电产品，例如电磁感应电锅。这一类新兴应用将会促使IGBT在消费性应用领域的增长。

2012年电力设备市场衰退，尤其是IGBT市场惨跌25%，主要是由于以下几个原因：
1）2012年欧洲各国政府紧缩对再生能源的补助，风力发电机及太阳能安装量骤跌；
2）2012年中国减缓风力发电机的安装速度；
3）2012年中国高铁事故导致高铁的生产喊停
4）全球经济复苏速度不如预期的快，进而影响消费性市场买气。

此外，受到日本地震及海啸的影响，导致系统制造商争取订单货源。综合上述因素，造成2011年IGBT产能过剩，IGBT市场也为此在2012年及2013年初付出了代价。

与SiC、GaN三分天下，IGBT转移至中低端解决方案

此外，IGBT市场还面临着来自外部的竞争压力。通过观察IGBT的同类元器件的趋势，注意到发生了很多技术演进。
事实上，IGBT驱动器领域从来没有像今天这般活跃过：有一大堆的新兴厂商推出具有更佳设计灵活性及效能的解决方案；其他一些厂商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的设计。越来越多的厂商将心力投注到功率模块封装的解决方案上。　

不过，IGBT已经不再是高端电子设备的唯一解决方案了。SiC器件已经量产，GaN器件也进入试产阶段。应用版图已经十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太阳能变频器已经诞生，高压和低压应用市场分别被SiC和GaN技术占据，IGBT则逐渐转移至中低端解决方案。

如今，对高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍处于发展及改善阶段：更薄的晶圆，更高效率的生产，功能整合等等。因此，Yole认为IGBT市场并没有进入弥留之际或是衰退期。不，绝不是，IGBT市场的商机无限。

中韩厂商抢入，供应链极不稳定

IGBT供应链极不稳定，越来越多的亚洲厂商已进入或愿意进入IGBT的市场。中国及韩国厂商进入IGBT市场是发展趋势。其中，最大的厂商有收购丹尼克斯半导体的中国南车（CSR）以及BYD，两者皆有志向垂直整合的业务模式进军。

代工厂及无晶圆厂也正在瞄准低电压，低端产品市场的发展机会。作为进入市场的第一步，亚洲厂商可能会先掌握既有的标准技术，专注于生产当地市场所需的产品上。

与此同时，美国及欧洲厂商正在致力于推动技术创新，有一部分半导体厂商如安森美（子公司三洋）、万国半导体（AOS）等都正在切入或准备切入IGBT市场。