RFMD开始向三星发送LTE器件

日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布，其已开始批量生产并向三星发送超高效功率放大器以支持其备受期待的下一代 Galaxy S3 4G LTE 智能手机。

RFMD 预期今年将为三星的最高产量智能手机提供大量 3G 和 4G 功率放大器。RFMD 以其广泛的产品为三星的多功能手机、智能手机和平板电脑提供支持，包括 PowerSmart功率平台、超高效功率放大器和其他关键的高性能组件等。RFMD 近期支持的这款 4G LTE 智能手机具有一个双核多模式 3G/LTE 调制调解器。

RFMD 蜂窝产品组总裁 Eric Creviston 指出：“向三星发送 RFMD 超高效 3G/4G 功率放大器突出了我们在下一代移动设备方面强劲的设计发展势头和在快速增长的 LTE 市场的早期市场领导地位。目前，我们可以预测 LTE 将于 2012 年实现稳健的增长，LTE 设备将从 2011 年的约 2 千万件增长到 2012 年的超过 1 亿件。”

RFMD 的超高效 3G 和 4G LTE 功率放大器有助于延长智能手机中电池的使用寿命，同时还可降低网上冲浪、视频电话和互联网无线电服务等先进的基于数据的应用中的热影响。该产品系列覆盖了 WCDMA 频带 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 频带 3、4、7、11、13、17、20 和 21，因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 频带与 LTE 频带及频带组合。

RFMD 可提供业内最广泛的 3G 和 4G LTE 功率放大器解决方案，涵盖单模式∕单频带组件到完整的多模式∕多频带前端参考设计等。RFMD 的 3G 和 4G LTE 产品系列符合世界领先的基带芯片集供应商的要求。