inFET联电拚F可能抢先台积电

在晶圆代工领域一直居于台积电(TSMC)之后的联电(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技术，领先其竞争对手一步。
尽管十年前，台积电是最初发起 FinFET 构想的主要企业之一。但依照联电与 IBM 签署的授权协议，最快在2014年下半年便可采用 20nm FinFET 量产，这要比台积电最新披露的时程提早一年。
联电取得的 FinFET 授权是在矽晶圆上制造，而不是在绝缘层上覆矽(SOI)晶圆上，据一位发言人表示。这将使联电能更快地引进技术，并使用运行20nm 块状 CMOS制程来量产。若能确保鳍已经具备良好的矩形截面定义，就能更显著地展现出性能的差异化，同时，未来在SOI晶圆上生产FinFET时也能进一步改善漏电流性能。
在联电第二季法说会中，当被问到联电准备在2014年推出20nm FinFET时，联电CEO孙世伟并没有反驳。他接着表示，联电的首次FinFET元件将以和20nm平面CMOS相同的20nm后段制程为基础。他表示，许多公司都采取相同做法，但有些人将之定义为16或14nm制程。他进一步指出，这实际上只是行销手法罢了。
台积电最近表示，其首个 FinFET 制程将会搭配16nm节点，而且可能会在2015年下半年量产。不过，台积电也会在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，该公司的 FinFET 时程表可能还会有变数。