富士通新型抗辐射RFID技术

5月1日至5月3日的Interphex2012展会上,富士通与其它一些合作公司着重展示了其使用铁电存储器技术（FRAM）的创新RFID解决方案。
“富士通的高性能FRAM技术可用于医疗设备和用品的标记，其数据甚至在伽马射线灭菌过程中也能保持完好。”富士通美国高级营销经理Tong SwanPang说，“在Interphex2012，与我们合作的一些公司已经在它们的产品中集成了我们的FRAM技术，可提供用于医疗、生物加工和制药领域的抗辐射、高性能RFID解决方案。”
FRAM是高性能、低功耗的非易失性存储器。它最吸引用户眼球的性能特点是几乎无限的写入次数(1百万亿次)，远远超过了EEPROM的1百万次，因此与SRAM、非易失性SRAM模块、MRAM和NVSRAM一起成为需要频繁写入操作的嵌入式应用的存储器选择之一。FRAM现已广泛地在计量、电力能源的监测、嵌入式系统、安全系统报警监控、工业控制以及汽车电子等领域得到了应用，全球交货量已超过1.75亿个，且应用空间和规模还在不断扩大中。而对于医疗和制药领域，最重要的是FRAM技术可以抵抗辐射。FRAM数据可保证免受高达50kGy（杀灭食品中活菌数的90%即减少一个对数周期所需要吸收的射线剂量称为“D”值，其单位为“Gy”，常用kGy表示）的伽马射线消毒损害，而这个数字是通常医用的两倍。
结合了FRAM技术，保证重要医学与制药产品的安全性变得更容易。传统的RFID标签使用EEPROM技术，容易被辐射破坏，而FRAM正好打破了传统RFID标签的一系列限制。