RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HVT工艺技术

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其 RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。
 
RFMD 推出的最新氮化镓工艺技术 – rGaN-HV-- 可在功率转换应用（1 至 50 KW）中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD 推出的 rGaN-HV 技术可为器件实现高达900 伏特的击穿电压，具有高峰值电流功能并可在氮化镓电源开关和二极管之间进行超快速切换。这项新技术可补充 RFMD 的 GaN1工艺技术，而GaN1工艺技术是专为高功率射频应用而优化并提供超过 400 伏特的高击穿电压；RFMD 的 GaN2 工艺技术专为高线性度应用而设计并提供超过 300 伏特的高击穿电压。RFMD 将会在北卡罗来纳州、格林斯伯勒的晶圆厂 (fab) 为客户制造这些分立式功率部件，并为代工客户提供 rGaN-HV 技术以使其能定制功率器件解决方案。
 
RFMD 总裁兼首席执行官 Bob Bruggeworth 表示：“全球对通过提高能源转换效率来节省能源的需求为基于 RFMD 氮化镓功率工艺技术的高性能功率器件创造了巨大的机会。我们期望我们推出的最新氮化镓功率工艺技术将会扩大我们在高电压功率半导体市场中的机会，而且，我们很高兴能够为外部的代工客户提供 rGaN-HV 技术，支持他们在高性能功率器件市场上获得成功。”
 
RFMD 的功率变换器件产品线和代工服务业务部门届时将于 5 月 8 -10 日在德国纽伦堡的 PCIM 电力工业会议上展示其广泛的氮化镓技术组合。