RFMD进入中国十周年，持续加大投入

作为世界顶级的RF模块供应商，RFMD在十年前开始进入中国并且当时就开设了后道封装测试工厂，这是为了给当时的诺基亚的星网工业园做配套，正是这一机缘，他们与自己的竞争对手相比就有了供应链上的优势。据RFMD总裁兼首席执行官包国富（Bob Bruggeworth）透露，他们从来没有对中国客户缺货的情况发生，这是他们中国战略的集中体现。5年前，RFMD在上海设立了研发中心，现在RFMD在中国已经有2000名员工，在北京、上海和深圳拥有办事机构，从制造、研发到销售，人员非常整齐。

原来在国内他们主要做中低端的RF模块，但是5年前在上海设立研发中心以后，大力投入，现在已经是全球三大研发中心之一。现在全球最先进的产品都已经放在上海进行研发，从最早的GSM到WCDMA和LTE，以及中国的TD-SCDMA产品，都在中国进行研发。现在联想、中兴、华为、展讯和高通中国，都已经是RFMD在中国的战略客户，相比他们的主要竞争对手Triquint和Skyworks，他们在中国的投入更大，公司的一半员工在中国。他们的基带芯片伙伴，展讯、联发科甚至高通现在都在中国，所以中国市场已经是RFMD最看重的市场。

从去年开始，整个中国的市场在往3G转，不管是高端还是低端产品。而在上网的时候，机器所消耗的能量中80%都来自终端的RF功放，基带和收发器只占有20%的功耗，所以功放的能源效率对于终端的续航时间是一个极端重要的问题。而他们的PowerSmart产品就是为了提高功放的能源效率。RFMD本月发布的最新的PowerSmart功率平台产品系列，纳入多个全新的3G和4G LTE PowerSmart产品型号。RFMD的PowerSmart功率平台是运用新技术实现聚合式前端的前沿，针对多模式、多频段应用，其包括智能手机、平板电脑和其它以数据为中心的移动宽带设备。

RFMD最新的PowerSmart功率平台包括PowerSmart 4G，这是一个能够支持达12个4G LTE、3G和2G频段的聚合多模式、多频段功率平台。PowerSmart 4G特别适用于4G LTE操作，是RFMD第一代PowerSmart功率平台的扩展，与第一代PowerSmart功率平台相比，增加了三个额外的3G或4G频段。PowerSmart 4G还包括所有必要的开关和信号调节功能且具有紧凑的参考设计，可为智能手机制造商提供适用于所有前端的单个可扩展来源。

PowerSmart产品系列还包括一个全新的功率平台，该平台经过优化，适用于新兴3G入口(3Ge)应用，且能够支持多达七个3G或2G频段的多模式、多频段范围。与PowerSmart 4G类似，适用于新兴3Ge应用的RFMD PowerSmart功率平台也包括所有必要的开关和信号调节功能且具有紧凑的参考设计。

除了4G和3Ge功率平台之外，RFMD仍在扩展PowerSmart产品系列，将增加多个3G和4G分立式功率放大器。分立式功率放大器可以与任一RFMD PowerSmart功率平台随意搭配，以扩展频段或模式范围。通过与PowerSmart功率平台中的RF Configurable Power Core串联，这些分立式功率放大器能在补偿功率下提供很高的效率。

至于说到前道的GaAS工艺晶圆厂，包国富坦言，不是他们不愿意引入中国，实在是GaAS晶圆的产能已经超过实际需求的一倍，而且他们的技术使得使用CMOS标准工艺的产品比例大幅上升，大大压缩了GaAS工艺的需求，所以在可预见的未来，整个行业不会再增加GaAS工艺生产线。