今年DRAM价格在二月后起涨可能性高

根据集邦科技（Trendforce）旗下研究部门DRAMeXchange的调查，1月上旬DRAM合约价仍以持平价位开出，DDR3 4GB均价固守16.5美元，DDR3 2GB均价则维持在9.25美元，但整体成交量已从低价区渐渐转向平均价格移动，除了减产效应于第一季正式发酵，目前合约价格仍属历史低价，部份PC-OEM厂已缓步拉高库存水位，并开始接受较高价格的合约价，加上硬盘短缺问题在第一季陆续获得纾解，PC出货将在二月后将回复正常。集邦科技认为，只要DRAM厂不要因短期颗粒价格上涨而贸进将产能恢复，预估今年DRAM价格在二月后起涨可能性高。

在现货市场方面，虽然DDR3 2Gb现货价格自去年12月初0.72美元起涨至今来到0.97美元，不光颗粒价格逼近金1美元价位，涨幅亦高达35%，但现货市场规模逐渐萎缩却是不争的事实，其中不外乎笔电已搭载足量的内存，近几年升级市场的衰退亦是其中主因，现货市场产值从早期2004年约囊括整体DRAM市场的50%，大幅衰退至2011年的15%左右。平心而论，现货价格对于DRAM市场仍具影响力，对于合约价格上涨也有一定助力。

后标准型DRAM时代来临，产品开发与核心技术将是未来获利关键

综观整体DRAM市场的获利关键，几乎都是来自于产能的扩充与制程不断的再精进，从早期的90nm、65nm制程至今已来到30nm、甚至20nm制程，制程的微缩虽使成本持续下降，但同时伴随着是颗粒数的高成长，加上近年PC出货年成长已大幅趋缓，内存搭载容量亦失成长动能，DRAM产业在需求力道不再强劲的影响之下，获利难度越来越高。

集邦科技预估，2012年DRAM市场的发展将会产生重大的变革。首先，DRAM产能的扩充将渐趋理性，加上转进20nm难度极高、且需要高额的资本支出购买EUV等先进机台，即使龙头三星半导体亦不得不在制程精进上放慢脚步，因此集邦科技预估，今年整体DRAM的年供给位成长率仅有22%，较前数年动辄50%的年成长已大幅趋缓。不幸的是，供给位的减缓并不足以代表整体DRAM产业供过于求的颓势获得实时纾解，而是代表各DRAM厂获利的关键必须转向核心技术开发能力再作竞争，例如随着智能型手机与平板计算机的兴起，带动行动式内存的需求，如已在2011年第四季成为行动式内存出货主流LPDDR2，或者是今年下半年即将量产的LPDDR3，甚至是Wide-IO与LPDDR4，能够拥有核心技术的DRAM厂便是获利赢家。同时，云端需求的兴起亦使原本深耕于服务器内存的DRAM厂获益，DDR3的4Gb-Mono颗粒成为另一个获利指标。甚至在标准型DRAM上，今年亦有许多产品以DDR3为基础上再进化，如着眼于Ultrabook的兴起，为了精进省电效能以延长使用时效，厂商已开发出低电压版的DDR3L，在省电机制的强化上亦发展出DDR3M的产品，甚至有厂商有考虑将GDDR导入标准型内存中，在绘图上与游戏上可以有比标准型内存更佳的表现。DRAM厂在后续的获利竞赛仍有一番激烈竞逐，落后者势必逐渐将产能退出，唯拥有核心技术力的DRAM厂才有机会在后续市场中持续获利与生存。