TD-LTE手机芯片需达28nm 两年后有望成高端主流

TD-LTE作为新一代宽带移动通信技术，其发展受到了业界的高度关注。如今，在国内政府的大力支持与指导下、在中国移动集团公司的大力扶持与推动下，我国的TD-LTE产业发展迅猛，在逐步解决了TD-LTE技术方面的问题后，未来整个产业的生态链规模以及其商用化等问题成为人们关注的焦点。 近日，大唐电信科技产业集团副总裁陈山枝公开表示，为满足TD-LTE规模商用所需的性能、功耗以及成本要求，TD-LTE手机芯片主流工艺需要达到28nm。“预计28nm工艺成为高端市场主流仍需至少两年时间。”他说。

随着网络技术的快速发展，近期全球移动互联网用户数与移动数据流量均呈快速增长趋势，其中移动数据流量更实现了爆炸式增长。数据显示，去年全球实际移动数据流量是03年预测数据的4.7倍。据相关机构预测，2014年移动互联网用户将超过固网用户，移动互联网用户在手机用户中渗透率将超30%。在TD终端芯片方面，截至目前TD-SCDMA终端芯片出货量已经超过7000万，明年TD-SCDMA的渗透率将达到10%。

对此陈山枝表示：“从WCDMA近年的发展经验来看，当用户达到10%之后，会进入增长的拐点。可以这样说，明年TD终端的发展将进入爆发期，这对于手机终端与芯片厂家来说，都是一个良性循环。”

众所周知，作为TD-SCDMA的长期演进技术，TD-LTE将与TD-SCDMA长期共存并协调发展。这势必将提升我国产业的国际竞争力，并带动全球制造业共同提升TD-LTE基础，国内企业在TD-LTE时代，也能比TD-SCDMA获得更广泛的空间。

另一方面，与TD-SCDMA的发展历程不同，TD-LTE不仅是实现我国通信产业引领全球的重大历史机遇，更是实现中国产业升级与创新发展的需要，是实现中国产业质的飞跃的良机。

在充分肯定TD-LTE发展前景的同时，陈山枝也坦言：“从TD-SCDMA产业化经验来看，目前我国TD-LTE多模多终端芯片仍处于前期开发阶段。”据了解，随着芯片生命周期的缩短，芯片产品升级换代也越发频繁，芯片厂商必须将不同方案尽快推向市场，并降低开发成本、缩短开发时间，才更加容易赢得市场。因此，芯片厂商要在性能、集成度、成本、开发易用性等方面下工夫。

据陈山枝透露，为满足TD-LTE规模商用所需的性能、功耗以及成本要求，TD-LTE手机芯片主流工艺需要达到28nm，而目前世界主流工艺为65nm。“预计仍需至少两年时间，28nm才有望在高端市场成为主流工艺。”

此外，工业和信息化部电信研究院院长曹淑敏也于近日表示，终端是TD-LTE发展的重点，而目前TD-LTE终端主要集中在数据卡部分，这是一种自然发展规律。“终端发展必然是从单模到多模，多芯片到单芯片，数据卡到手机。而工艺是将是65nm到45nm到28nm。”她说。

此外值得一提的是，截至今年9月26日，由中国移动联合11大系统设备厂商、3家芯片厂商进行的六城市TD-LTE规模商用试验已全部结束，并已经形成全球通信研发制造企业广泛参与的完整产业链体系。“第二阶段的测试工作也即将开始，而测试的重点是多模终端。”